[发明专利]集成电容滤波器和具有变阻器功能的集成电容滤波器在审
申请号: | 202111352719.8 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN114141536A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | M.柯克;M.贝罗里尼 | 申请(专利权)人: | 京瓷AVX元器件公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/12;H01G4/228;H01G4/232;H01G4/30;H01G4/38;H01G4/40;H01C7/10;H01C7/18;H01C10/00;H01G2/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 电容 滤波器 具有 变阻器 功能 | ||
1.一种具有变阻器功能的集成电容滤波器,包括:
具有多个电容元件的分立的多端子多层陶瓷电容器器件,包括具有包括电极层的协作的多个层的主体,所述电极层继而形成集成电容结构;第一对电容器器件端子,其在所述主体外部并具有相反极性;第二对电容器器件端子,其在所述主体外部并具有相同极性;所述电极层的第一区域,所述第一区域形成两个相应的电容器;以及所述电极层的第二区域,所述第二区域形成在所述第一对端子之间串联连接所接收的多层陶瓷电容器;以及
分立的变阻器,所述分立的变阻器包括具有一对变阻器端子的主体,所述一对变阻器端子在所述变阻器主体外部并具有相反极性,
其中所述变阻器与和所述第一对电容器器件端子接触的所述多端子多层陶瓷电容器器件堆叠,使得所述变阻器与所述多端子多层陶瓷电容器器件为并联关系。
2.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述第一对电容器器件端子和所述第二对电容器器件端子中的至少一个与所述第一区域的所述两个相应的电容器相应地并联连接。
3.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中:
所述电极层的所述第一区域形成所述两个相应的电容器的分离馈通型构造;并且
所述电极层的所述第二区域形成所述多层陶瓷电容器的重叠型构造。
4.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,还包括:
第一引线和第二引线,第一引线和第二引线分别附接于所述第一对电容器器件端子和所述一对变阻器端子;以及
第三引线,所述第三引线附接于所述第二对电容器器件端子中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中将所述变阻器和所述多端子多层陶瓷电容器器件组合以形成所述滤波器的表面安装器件(SMD)配置。
6.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述电极层的所述第一区域至少包括位于与总体上交叉形状层相对的一对层,所述总体上交叉形状层具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘,并且具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘。
7.根据权利要求6所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述第一层中的所述一对层分别具有与所述第一层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积,使得为所述第一区域的所述相应电容器得出不同电容值。
8.根据权利要求7所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,还包括:
所述电极层的第三区域,所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造,所述第三区域至少包括具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的一对层;
其中所述第三层中的所述一对层分别具有与所述第三层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积,使得为所述第三区域的所述相应附加的电容器得出不同电容值。
9.根据权利要求6所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述第一区域的一对层是T形的。
10.根据权利要求6所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述主体具有一对相对侧表面并且所述第二对端子分别形成在所述一对相对侧表面上,并且其中所述第一区域的一对层分别沿着所述主体的一对相对侧表面与所述第一对端子连接。
11.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层,所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中。
12.根据权利要求11所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器,其中所述第二区域的成对的交替层是T形的。
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