[发明专利]芯片接口电路和芯片在审

专利信息
申请号: 202111353660.4 申请日: 2021-11-16
公开(公告)号: CN114142848A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 陈立刚;胡洪 申请(专利权)人: 上海格易电子有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/003
代理公司: 北京展翼知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11452 代理人: 张阳
地址: 200131 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 接口 电路
【权利要求书】:

1.一种芯片接口电路,包括:

分压电路,包括第一电阻、第二电阻和开关,

输入门电路,包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管;

其中,所述第一电阻的一端连接输入端(PAD),另一端连接第一节点(A);所述第二电阻的一端连接所述第一节点,另一端连接第二节点(B);所述开关的一端连接所述第二节点,另一端接地;所述第一PMOS晶体管的源极连接电源电压,栅极连接第一节点(A),漏极连接第一端子(PIN2);所述第一NMOS晶体管的源极接地,栅极连接第一节点(A),漏极连接所述第一端子,其中,所述第一端子用于连接芯片主体电路,所述开关在所述输入端接收到高压的输入电压时导通。

2.如权利要求1所述的芯片接口电路,其中,所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管是低压MOS晶体管。

3.如权利要求2所述的芯片接口电路,其中,所述开关是第二NMOS晶体管(N0),所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二节点,栅极连接第二端子,源极接地,所述第二端子在所述输入电压为高压时为所述第二NMOS晶体管提供导通电压。

4.如权利要求3所述的芯片接口电路,其中,所述第二NMOS晶体管是低压MOS晶体管。

5.如权利要求3所述的芯片接口电路,其中,输入高压为VPAD,第一电阻的电阻值为R1,第二电阻的电阻值为R2,并且所述第一PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的耐压值要大于VPAD*R2/(R2+R1)的值。

6.如权利要求1所述的芯片接口电路,其中,所述输入端与如下至少一项连接:

与芯片外部管脚连接的焊盘;

静电放电模块;

高压输入输出选通电路。

7.如权利要求6所述的芯片接口电路,其中,所述输入高压包括如下至少一项:

由芯片外部管脚经由所述焊盘输入的外部测试高压;以及

芯片内的电荷泵产生的内部高压。

8.如权利要求1所述的芯片接口电路,其中,所述输入端接入由芯片选通管脚输入的外部测试高压,并将所述外部测试高压经由接通的高压输入输出选通电路提供给存储单元阵列。

9.一种芯片,包括如权利要求1-8中任一项所述的芯片接口电路。

10.如权利要求9所述的芯片,所述芯片是包括电荷泵的闪存芯片。

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