[发明专利]芯片接口电路和芯片在审

专利信息
申请号: 202111353660.4 申请日: 2021-11-16
公开(公告)号: CN114142848A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 陈立刚;胡洪 申请(专利权)人: 上海格易电子有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/003
代理公司: 北京展翼知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11452 代理人: 张阳
地址: 200131 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 接口 电路
【说明书】:

公开了一种改进的芯片接口电路和芯片。所述电路包括:分压电路,包括第一电阻、第二电阻和开关;输入门电路,包括MOS管P1和晶体管N1;第一电阻的一端连接输入端(PAD),另一端连接第一节点(A);第二电阻的一端连接第一节点,另一端连接第二节点(B);开关的一端连接第二节点,另一端接地;P1的源极连接电源电压,栅极连接第一节点(A),漏极连接第一端子(PIN2);N1的源极接地,栅极连接第一节点(A),漏极连接第一端子,其中,第一端子用于连接芯片主体电路,开关在输入端接收到高压的输入电压时导通。该电路使用低压管结合分压电路实现芯片接口电路,由此实现良好的接口速度特性,并避免低工作电压时由于高压管阈值电压大而导致的芯片无法正常工作的问题。

技术领域

本公开涉及一种芯片领域,尤其涉及一种芯片接口电路以及使用该电路的芯片。

背景技术

为了保证芯片的正常工作,芯片在封装前后都需要进行测试。这些测量用的高压需要与芯片中在电源电压下工作的芯片主体电路隔离,以防止高压对主体电路的伤害。为此,需要在常规电路的入口处设置接口电路。相应的接口在设计时会使用耐压特性更好的高压管,用于隔离测试高压对芯片主体电路的伤害。

随着便携式电子产品变得越来越微型化,工作电源电压也越来越低,但测试的外灌高压和需要监控的操作高压保持不变。这就使得接口电路高压管的阈值电压相对于芯片的电源电压而显得过大,导致接口速度差。在某些工艺偏差较大的场合,阈值电压甚至可能接近电源电压,导致接口无法正常工作。

为此,需要一种改进设计的芯片接口电路。

发明内容

本公开要解决的一个技术问题是提供一种改进的芯片接口电路,该电路使用低压管结合分压电路实现芯片接口电路,由于低压管的阈值电压小,使得即便在更低的电源电压下工作,接口电路仍然能够实现良好的速度特性。

根据本公开的第一个方面,提供了一种芯片接口电路,包括:分压电路,包括第一电阻、第二电阻和开关;输入门电路,包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管;其中,所述第一电阻的一端连接输入端(PAD),另一端连接第一节点(A);所述第二电阻的一端连接所述第一节点,另一端连接第二节点(B);所述开关的一端连接所述第二节点,另一端接地;所述第一PMOS晶体管的源极连接电源电压,栅极连接第一节点(A),漏极连接第一端子(PIN2);所述第一NMOS晶体管的源极接地,栅极连接第一节点(A),漏极连接所述第一端子,其中,所述第一端子用于连接芯片主体电路,所述开关在所述输入端接收到高压的输入电压时导通。

可选地,所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管是低压MOS晶体管。

可选地,所述开关是第二NMOS晶体管(N0),所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二节点,栅极连接第二端子,源极接地,所述第二端子在所述输入电压为高压时为所述第二NMOS晶体管提供导通电压。

可选地,所述第二NMOS晶体管是低压MOS晶体管。

可选地,输入高压为VPAD,第一电阻的电阻值为R1,第二电阻的电阻值为R2,并且所述第一PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的耐压值要大于VPAD*R2/(R2+R1)的值。

可选地,所述输入端与如下至少一项连接:与芯片外部管脚连接的焊盘;静电放电模块;高压输入输出选通电路。

可选地,所述输入高压包括如下至少一项:由芯片外部管脚经由所述焊盘输入的外部测试高压;以及芯片内的电荷泵产生的内部高压。

可选地,所述输入端接入由芯片选通管脚输入的外部测试高压,并将所述外部测试高压经由接通的高压输入输出选通电路提供给存储单元阵列。

根据本公开的第二个方面,提供了一种芯片,包括如第一方面所述的芯片接口电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海格易电子有限公司,未经上海格易电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111353660.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top