[发明专利]增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法在审
| 申请号： | 202111399237.8 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114113091A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张喆;闫波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G03F1/70 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增加 框架 均匀 性量测 掩膜版 设计 方法 | ||
1.一种增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供掩膜板；
步骤二、在所述掩膜板上形成框架图案，其中所述框架图案包括划片槽图案；
步骤三、利用所述划片槽图案定义出标记区域；
步骤四、对所述标记区域设置量测标记，其中所述标记区域使得所述框架图案的所有区域被量测。
2.根据权利要求1所述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：步骤二的所述划片槽图案为口字形结构。
3.根据权利要求1所述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：步骤二的所述框架图案的材质为铬层。
4.根据权利要求3述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：所述铬层通过对步骤一中的所述掩膜板进行光刻与刻蚀后得到。
5.根据权利要求1所述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：步骤二中的所述框架图案的最外圈定义为所述划片槽图案。
6.根据权利要求5述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：所述划片槽图案中内圈60微米线宽的区域定义为所述标记区域。
7.根据权利要求5所述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：所述划片槽图案上定义有多个所述标记区域。
8.根据权利要求7述的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，其特征在于：所述划片槽图案上一侧的所述标记区域与另一侧的所述标记区域相啮合。
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