[发明专利]增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法

说明书

本发明提供一种增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，提供掩膜板；在所述掩膜板上形成框架图案，其中所述框架图案包括划片槽图案；在所述掩膜板上形成框架图案，其中所述框架图案包括划片槽图案；对标记区域设置量测标记，其中标记区域使得框架图案的所有区域被量测。本发明给框架图案不能放置标记的区域提供了可以放置光刻图形量测标记的可能；可以全面的量测监控标记的图形均匀性，便于调控光刻条件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法。

背景技术

随着半导体制造业工艺技术节点不断更新，到了28nm及以下工艺节点以后，光刻掩膜图形均匀性的量测要求增加，需要尽可能全面的量测到掩膜版的所有区域，目前现有技术中框架最外圈划片槽图案是风车结构，如图2所示，最外圈四条边只有一半的区域可以放光刻量测标记，样最外圈划片槽图案会有一半的区域没办法放置量测标记。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，用于解决现有技术中光刻掩膜图形均匀性的量测要求增加，需要尽可能全面的量测到掩膜版的所有区域的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，包括：

步骤一、提供掩膜板；

步骤二、在所述掩膜板上形成框架图案，其中所述框架图案包括划片槽图案；

步骤三、利用所述划片槽图案定义出标记区域；

步骤四、对所述标记区域设置量测标记，其中所述标记区域使得所述框架图案的所有区域被量测。

优选地，步骤二的所述划片槽图案为口形结构。

优选地，步骤二的所述框架图案的材质为铬层。

优选地，所述铬层通过对步骤一中的所述掩膜板进行光刻与刻蚀后得到。

优选地，步骤二中的所述框架图案的最外圈定义为所述划片槽图案。

优选地，所述划片槽图案中内圈60微米线宽的区域定义为所述标记区域。

优选地，所述划片槽图案上定义有多个所述标记区域。

优选地，所述划片槽图案上一侧的所述标记区域与另一侧的所述标记区域相啮合。

如上所述，本发明的增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，具有以下有益效果：

给框架图案不能放置标记的区域提供了可以放置光刻图形量测标记的可能；

可以全面的量测监控标记的图形均匀性，便于调控光刻条件。

附图说明

图1显示为本发明提供的方法流程示意图；

图2显示为现有技术中风车结构的划片槽图案示意图；

图3显示为本发明一种实施例提供的划片槽图案示意图；

图4显示为本发明另一种实施例提供的划片槽图案示意图。

其中，1-框架图案，2-划片槽图案，3-标记区域。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图一，本发明提供一种增加框架均匀性量测的掩膜版设计方法，包括：

步骤一，提供掩膜板；