[发明专利]一种高耐蚀复合银层及制备工艺

权利要求书

1.一种高耐蚀复合银层，其特征在于，复合银层包括镍底层、高电位银镀层、低电位银镀层、封闭层。

2.如权利要求1所述的高耐蚀复合银层，其特征在于，镍底层厚度为1～2μm、高电位银镀层厚度2～4μm；低电位银镀层厚度2～4μm；封闭层小于1μm。

3.如权利要求1或2所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)镍底层：使用氨基磺酸体系制备致密镍底层；

2)高电位银层：制备工艺为；真空离子镀银工艺或磁控溅射镀银工艺；

3)低电位银层：使用脉冲电镀的方法制备低电位银镀层；

4)封闭层：封闭层使用溶胶凝胶层进行封闭。

4.如权利要求3所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，所述镍底层的制备工艺为：氨基磺酸镍300g/L～450g/L、氯化镍0g/L～15g/L、硼酸30g/L～45g/L、pH值3.5～4.5、温度40℃～60℃、阴极电流密度1A/dm²～2A/dm²。

5.如权利要求3所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，所述真空离子镀银工艺为：辉光放电清洗—银镀层沉积—喷丸致密化；银镀层沉积参数为：真空度≤7.0×10-3Pa、沉积温度190±5℃、氩气分压0.2～1.0Pa，沉积偏压220～350V。

6.如权利要求3所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，所述磁控溅射镀银工艺银镀层沉积参数为：真空度≤5.0×10-3Pa、氩气分压0.3～0.7Pa，直流溅射，沉积电压300～340V。

7.如权利要求3所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，高电位银镀层的自腐蚀电位高；低电位银镀层的自腐蚀电位低。

8.如权利要求3所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，所述电镀的方法制备低电位银镀层的工艺为：银离子20g/L～30g/L；银无氰络合剂80g/L～120g/L；缓冲剂40g/L～80g/L；光亮剂0.1g/L～1g/L；温度20～60℃。电镀方式为脉冲电镀，参数为：正向脉冲占空比5％～20％，周期为1～4ms，时间1000μm，平均电流0.2A/dm²～1.0A/dm²；反向脉冲占空比5％～20％，周期为1～4ms，时间100μm，平均电流0.2A/dm²～1.0A/dm²。

9.如权利要求8所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，银无氰络合剂指海因及其衍生物、烟酸及其衍生物、亚氨基二酸及其衍生物、丁二酰亚胺、胺离子的一种或几种；缓冲剂指硼酸及其盐、柠檬酸及其盐、碳酸盐、胺盐的一种或几种；光亮剂指2-联吡啶、聚乙烯亚胺、苯并三氮唑、1，4-丁炔二醇的一种或几种。

10.如权利要求3所述的高耐蚀复合银层的制备工艺，其特征在于，所述溶胶凝胶层封闭溶液成分包括：有机硅、锆盐、表面活性剂；制备参数为：镀银件浸泡30min后，500℃下烘干2h。