[发明专利]显示装置与制造显示装置的方法在审
| 申请号： | 202111400277.X | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114566525A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 韩在范;朴英吉;金纹成;庆在善;金基铉;郑洙任 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 李子光 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置，包括：
衬底，包括第一基层、排列在所述第一基层上面的第二基层以及布置在所述第一基层与所述第二基层之间的第一阻挡层；以及
第一薄膜晶体管，排列在所述衬底上面并且包括第一半导体层和第一栅电极，
其中，所述第一阻挡层包括第一子层和布置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层包括无机材料，并且所述第二子层包括非晶硅和结晶硅。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述结晶硅占所述第二子层的2％至25％。
3.如权利要求1所述的显示装置，还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管排列在所述衬底上面并且包括第二半导体层和第二栅电极，
其中，所述第一半导体层包括硅基半导体材料，并且所述第二半导体层包括氧化物基半导体材料。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层排列在不同的层上。
5.如权利要求3所述的显示装置，还包括：
栅极绝缘层，排列在所述第一半导体层和所述第一栅电极之间；以及
层间绝缘层，排列在所述第一栅电极和所述第二半导体层之间，其中，所述第二半导体层直接排列在所述层间绝缘层上。
6.如权利要求3所述的显示装置，还包括底金属层，所述底金属层排列在所述衬底和所述第二半导体层之间，所述底金属层布置在对应于所述第二半导体层的区域上，其中，在平面视图中，所述第一半导体层不与所述底金属层重叠。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底还包括布置在所述第二基层上并且包括无机材料的第二阻挡层，
所述显示装置还包括排列在所述第二阻挡层上的缓冲层，
其中，所述第一半导体层直接排列在所述缓冲层上。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子层具有0.02nm至0.5nm的表面粗糙度。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子层具有4.0E+21atom/cm3至6.0E+21atom/cm3的氢浓度。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子层具有0.01至0.025的消光系数。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子层具有至的厚度。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子层具有至的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
