[发明专利]一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法在审
| 申请号： | 202111406144.3 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114184622A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李朋飞;徐岩;王春静;邢阳阳;王露;董永鸽;曹佳佳;韩秀英;张艳玲;左赛虎 | 申请（专利权）人： | 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张一军;王安娜 |
| 地址： | 719208*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 多晶 表面 损伤 深度 方法 | ||
1.一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
从机加后的区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；
从所述多晶硅棒的外缘上获取多晶硅片；
采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻；
采用显微镜采集蚀刻后的所述多晶硅片的表面的损伤图像，从而检测区熔多晶硅表面的损伤深度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从机加后的区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒，包括：
将机加后的区熔多晶硅分为等长的三段区熔多晶硅段；
从靠近桥架的区熔多晶硅段上切割下一段多晶硅棒。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅棒的长度为100mm-150mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述多晶硅棒的外缘上获取多晶硅片，包括：
沿着所述多晶硅棒的长度方向，采用钻头从所述多晶硅棒的外缘上钻取多晶硅样品；
沿着所述多晶硅样品的径向，采用切割机在所述多晶硅样品的中间位置切取多晶硅片。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多晶硅样品的直径为10mm-20mm。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多晶硅片的厚度为1.0mm-4mm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多晶硅片的厚度为1.8mm-2.2mm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻，包括：
将所述多晶硅片浸没于蚀刻剂中，蚀刻5秒-10秒；
采用去离子水清洗蚀刻后的所述多晶硅片，并采用氮气将所述多晶硅片吹干。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂采用如下方法制备得到：
将三氧化铬溶解于去离子水中，得到0.1mol/L-2mol/L的三氧化铬溶液；
将所述三氧化铬溶液与氢氟酸混合，从而得到蚀刻剂。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述三氧化铬溶液与所述氢氟酸的体积比为1:1-8:1。
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