[发明专利]一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法

说明书

本发明公开了一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从机加后的区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；从所述多晶硅棒的外缘上获取多晶硅片；采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻；采用显微镜采集蚀刻后的所述多晶硅片的表面的损伤图像，从而检测区熔多晶硅表面的损伤深度。该实施方式能够解决目前没有可以实现检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法。

背景技术

目前，在相关专利文献中，未找到区熔多晶硅表面损伤深度的检测方法，但在CN113267521A发明专利申请中，公开了一种硅产品表面加工损伤深度检测方法及自动化检测系统，控制设备X射线反映的损伤深度；CN104034568B公开了晶圆表面损伤深度测量方法，通过显微镜获取刻蚀后的晶圆样品的表面形貌；实现晶圆样品表面损伤深度进行测量。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有技术的不足之处在于制备超薄、易碎硅晶圆测试样，且试样制备如磨削、抛光、腐蚀处理等过程以及参数设置各不相同，且只仅限于晶圆的分析。因此，目前没有可以实现检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法，以解决目前没有可以实现检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明实施例提供了一种检测区熔多晶硅表面损伤深度的方法，包括：

从机加后的区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；

从所述多晶硅棒的外缘上获取多晶硅片；

采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻；

采用显微镜采集蚀刻后的所述多晶硅片的表面的损伤图像，从而检测区熔多晶硅表面的损伤深度。

可选地，从机加后的区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒，包括：

将机加后的区熔多晶硅分为等长的三段区熔多晶硅段；

从靠近桥架的区熔多晶硅段上切割下一段多晶硅棒。

可选地，所述多晶硅棒的长度为100mm-150mm。

可选地，从所述多晶硅棒的外缘上获取多晶硅片，包括：

沿着所述多晶硅棒的长度方向，采用钻头从所述多晶硅棒的外缘上钻取多晶硅样品；

沿着所述多晶硅样品的径向，采用切割机在所述多晶硅样品的中间位置切取多晶硅片。

可选地，所述多晶硅样品的直径为10mm-20mm。

可选地，所述多晶硅片的厚度为1.0mm-4mm。

可选地，所述多晶硅片的厚度为1.8mm-2.2mm。

可选地，采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻，包括：

将所述多晶硅片浸没于蚀刻剂中，蚀刻5秒-10秒；

采用去离子水清洗蚀刻后的所述多晶硅片，并采用氮气将所述多晶硅片吹干。

可选地，所述蚀刻剂采用如下方法制备得到：

将三氧化铬溶解于去离子水中，得到0.1mol/L-2mol/L的三氧化铬溶液；

将所述三氧化铬溶液与氢氟酸混合，从而得到蚀刻剂。

可选地，所述三氧化铬溶液与所述氢氟酸的体积比为1:1-5:1。