[发明专利]过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜在审
| 申请号： | 202111410376.6 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114122146A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 姚建可;唐杰;汤皎宁;郑逸 | 申请（专利权）人： | 深圳戴尔蒙德科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/336;C23C14/08;C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福保街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过滤 阴极 电弧 法制 性能 basno3 透明 导电 薄膜 | ||
1.过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在玻璃或塑料基底制备多晶BaSnO3薄膜，可以作为薄膜晶体管的绝缘层应用；
S2、在玻璃或塑料基底制备多晶BaLaSnOx薄膜，可以作为薄膜晶体管的有源层和电极层应用；
S3、在玻璃或塑料基底制备多晶BaGdSnOx薄膜，可以作为薄膜晶体管的有源层和电极层应用；
S4、制备BaSnO3、BaLaSnOx、BaGdSnOx多晶薄膜，可以作为薄膜晶体管的有源层应用；
S5、根据S2和S3产物相结合制备得到高性能的顶栅结构TFTs；
S6、根据S1和S4产物相结合制备得到高性能的顶栅结构TFTs。
2.根据权利要求1所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述S1中用过滤阴极电弧法，以BaSn(摩尔比1:1)合金为靶材，在低工艺温度(＜400℃)，在玻璃或塑料基底制备多晶BaSnO3薄膜，可以作为薄膜晶体管的绝缘层应用。
3.根据权利要求1所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述S2中用过滤阴极电弧法，以10％原子比La掺杂BaSn(摩尔比1:1)合金为靶材，在低工艺温度(＜400℃)，在玻璃或塑料基底制备多晶BaLaSnOx薄膜，可以作为薄膜晶体管的有源层和电极层应用。
4.根据权利要求1所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述S3中用过滤阴极电弧法，以10％原子比Gd掺杂BaSn(摩尔比1:1)合金为靶材，在低工艺温度(＜400℃)，在玻璃或塑料基底制备多晶BaGdSnOx薄膜，可以作为薄膜晶体管的有源层和电极层应用。
5.根据权利要求1所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述S4中用过滤阴极电弧法，以在玻璃或塑料基底制备的多晶Ag薄膜150nm Ag膜为结晶诱导层，再分别以BaSn(摩尔比1:1)合金、10％原子比La掺杂BaSn(摩尔比1:1)合金、10％原子比Gd掺杂BaSn(摩尔比1:1)合金为靶材，在低工艺温度(＜400℃)，制备BaSnO3、BaLaSnOx、BaGdSnOx多晶薄膜，可以作为薄膜晶体管的有源层应用。
6.根据权利要求1所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述S5中用FCAD方法，结合光刻、刻蚀工艺，用以S1制备的BaSnO3薄膜为绝缘层，分别以S2和S3制备的BaLaSnOx、BaGdSnOx多晶薄膜为有源层或电极层，制备得到高性能的顶栅结构TFTs。
7.根据权利要求1所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述S6中用FCAD方法，结合光刻、刻蚀工艺，用以S1制备的BaSnO3薄膜为绝缘层，分别以S4制备的BaLaSnOx、BaGdSnOx多晶薄膜为有源层或电极层，制备得到高性能的顶栅结构TFTs。
8.根据权利要求5所述的过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜，其特征在于，所述多晶Ag薄膜的结晶诱导，在玻璃或塑料基底，在低温(室温-400℃)下获得高结晶质量的BTO、BLTO、BGdTO薄膜。
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