[发明专利]分子开关调控型嵌合抗原受体细胞和抗体的组合及其应用在审

专利信息
申请号: 202111416497.1 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN116162168A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 徐伟;危华锋;郭生杰;陈佳男;陈国枝 申请(专利权)人: 信达细胞制药(苏州)有限公司
主分类号: C07K19/00 分类号: C07K19/00;C12N15/62;C12N15/85;C12N5/10;A61K39/00;A61K39/395;A61P35/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 胡志君;黄革生
地址: 215123 江苏省苏州市(江苏)自由*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 分子 开关 调控 嵌合 抗原 受体 细胞 抗体 组合 及其 应用
【权利要求书】:

1.分子开关调控型嵌合抗原受体(CAR)多肽,其包含

(1)人源化抗P329G突变scFv序列,其中所述scFv序列包含能够特异性结合包含P329G突变的抗体Fc结构域,但不能特异性结合未突变的亲本抗体Fc结构域的如下序列:

(i)重链可变区,其包含根据Kabat编号的

(a)氨基酸序列RYWMN(SEQ ID NO:54)所示的重链互补决定区CDR H1、或所述CDR H1的不超过2个氨基酸变化或不超过1个氨基酸变化的变体;

(b)氨基酸序列EITPDSSTINYAPSLKG(SEQ ID NO:55)所示的CDR H2、或所述CDR H2的不超过2个氨基酸变化或不超过1个氨基酸变化的变体;和

(c)氨基酸序列PYDYGAWFAS(SEQ ID NO:56)所示的CDR H3、或所述CDR H3的不超过2个氨基酸变化或不超过1个氨基酸变化的变体;和

(ii)轻链可变区,其包含根据Kabat编号的

(d)氨基酸序列RSSTGAVTTSNYAN(SEQ ID NO:57)所示的轻链互补决定区(CDR L)1、或所述CDR L1的不超过2个氨基酸变化或不超过1个氨基酸变化的变体;

(e)氨基酸序列GTNKRAP(SEQ ID NO:58)所示的CDR L2、或所述CDR L2的不超过2个氨基酸变化或不超过1个氨基酸变化的变体;和

(f)氨基酸序列ALWYSNHWV(SEQ ID NO:59)所示的CDR L3、或所述CDR L3的不超过2个氨基酸变化或不超过1个氨基酸变化的变体;

其中所述氨基酸变化是氨基酸的添加、缺失或取代

(2)铰链区/间隔区,其选自

(i)(G4S)n、(SG4)n或G4(SG4)n肽接头,其中“n”是1至10的整数,例如2至4的整数,例如SEQID NO:4、SEQ ID NO:5所示的序列;

(ii)IgG4间隔区(SEQ ID NO 6;ESKYGPPCPPCP),或其具有至少80%的序列同一性的间隔区;

(iii)CD28铰链区(SEQ ID NO 7;IEVMYPPPYLDNEKSNGTIIHVKGKHLCPSPLFPGPSKP),或其具有至少80%的序列同一性的间隔区。

(3)跨膜区(TM),其选自

(i)CD28跨膜结构域或其具有1-5个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:8所示的序列或其具有1-2个氨基酸修饰的变体;

(ii)CD8跨膜结构域或其具有1-5个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:9所示的序列或其具有1-2个氨基酸修饰的变体;

(4)共刺激信号结构域(CSD)其选自:

(i)4-1BB共刺激结构域或其具有1-5个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:11所示的序列或其具有1-2个氨基酸修饰的变体;

(ii)CD28共刺激结构域或其具有1-5个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:10所示的序列或其具有1-2个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:12所示的序列;

(5)刺激信号结构域(SSD),为CD3ζ信号传导结构域或其具有1-10个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:13所示的序列或其具有1-10个、1-5个氨基酸修饰的变体;

优选地,所述CAR多肽包含

(1)人源化抗P329G突变scFv序列,其中所述scFv序列包含能够特异性结合包含P329G突变的抗体Fc结构域,但不能特异性结合未突变的亲本抗体Fc结构域的如下序列:

(i)重链可变区,其包含根据Kabat编号的

(a)氨基酸序列RYWMN(SEQ ID NO:54)所示的CDR H1;

(b)氨基酸序列EITPDSSTINYAPSLKG(SEQ ID NO:55)所示的CDR H2;和

(c)氨基酸序列PYDYGAWFAS(SEQ ID NO:56)所示的CDR H3;和

(ii)轻链可变区,其包含根据Kabat编号的

(d)氨基酸序列RSSTGAVTTSNYAN(SEQ ID NO:57)所示的CDR L1;

(e)氨基酸序列GTNKRAP(SEQ ID NO:58)所示的CDR L2;和

(f)氨基酸序列ALWYSNHWV(SEQ ID NO:59)所示的CDR L3;

例如,(i)重链可变区,其包含SEQ ID NO:2的序列或与其具有至少90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%同一性的序列,和

(ii)轻链可变区,其包含SEQ ID NO:3的序列或与其具有至少90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%同一性的序列;

例如,(i)重链可变区,其包含SEQ ID NO:2的序列,和

(ii)轻链可变区,其包含SEQ ID NO:3的序列;

(2)铰链区/间隔区,其选自

(i)(G4S)n、(SG4)n、(G4S)n或G4(SG4)n肽接头,其中“n”是1至10的整数,例如2至4的整数,例如SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5所示的序列;

(ii)IgG4间隔区(SEQ ID NO 6;ESKYGPPCPPCP),或其具有至少90%的序列同一性的间隔区;

(iii)CD28铰链区(SEQ ID NO 7;IEVMYPPPYLDNEKSNGTIIHVKGKHLCPSPLFPGPSKP),或其具有至少90%、至少95%的序列同一性的间隔区。

(3)跨膜区(TM),其选自

(i)SEQ ID NO:8所示的CD28跨膜结构域或其具有1个氨基酸修饰的变体;

(ii)SEQ ID NO:9所示的CD8跨膜结构域或其具有1个氨基酸修饰的变体;

(4)共刺激信号结构域(CSD)其选自:

(i)SEQ ID NO:11所示的4-1BB共刺激结构域或其具有1个氨基酸修饰的变体;

(ii)SEQ ID NO:10所示的CD28共刺激结构域或其具有1个氨基酸修饰的变体,例如,SEQ ID NO:12所示的序列;

(5)刺激信号结构域(SSD),为SEQ ID NO:13所示的CD3ζ信号传导结构域或其具有1个氨基酸修饰的变体;

其中所述氨基酸修饰是氨基酸的添加、缺失或取代。

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