[发明专利]一种CH聚合物球壳靶的制备方法

权利要求书

1.一种CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，包括：

S1、提供CH聚合物溶液；

S2、将所述CH聚合物溶液在平面基底上形成薄膜，得到聚合物平面膜；

S3、将所述聚合物平面膜从所述平面基底剥离后，平铺在固定于网格中的球模上；

S4、将所述聚合物平面膜和所述球模一同置于烘箱中缓慢升至预设温度，并保温预设时长后随炉冷却，得到球冠膜；

S5、对所述球冠膜激光切割后沿切割轮廓进行剥离，得到CH聚合物球壳靶。

2.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在S1中，所述CH聚合物溶液采用CH聚合物溶解于溶剂中形成，所述CH聚合物为仅含碳和氢的聚合物，所述溶剂为氟苯、丙酮、四氯乙烷、苯乙烯、苯、氯仿、二甲苯、甲苯、四氯化碳、甲乙酮和酯类中的任意一种；所述CH聚合物溶液的质量百分浓度为0.1％～50％。

3.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，所述S2包括：利用匀胶机将所述CH聚合物溶液旋涂在表面光滑平整的硅片或玻璃片上，形成所述聚合物平面膜，所述匀胶机的转速为100～6000转/分钟。

4.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，所述S2包括：将所述CH聚合物溶液倒入带有平面凹槽的模具中，利用脱模法得到所述聚合物平面膜，其中，所述平面凹槽的深度为50～1000微米。

5.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在所述S2之后，还包括：将所述平面基底置于热板上烘烤至少1分钟，烘烤温度为50～200摄氏度。

6.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在所述S3中，通过腐蚀所述平面基底或直接从所述平面基底的边缘撕开的方式，从所述平面基底上剥离所述聚合物平面膜。

7.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在所述S3中，所述球模为不锈钢球或氧化锆球，承载球模的网格的孔径小于所述球模的直径，所述球模在网格上均匀且间隔分布；平铺于所述球模上的平面膜的面积大于网格的总面积。

8.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在所述S4 中，烘箱的升温速度为0.1～5摄氏度/分钟，烘箱的温度设置为呈阶梯式上升；所述预设温度高于CH聚合物的玻璃转化温度且不超过CH聚合物的熔点；所述预设时长不小于1小时。

9.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述激光切割采用飞秒激光、紫外激光和光纤激光的任意一种，激光的功率为不大于1000瓦，速度为100～3000毫米/秒，激光切割的遍数为不大于3000次，激光切割的图形为圆形，所述圆形的直径不大于所述球模的直径。

10.根据权利要求1所述的CH聚合物球壳靶的制备方法，其特征在于，在所述S5中，对所述球冠膜激光切割后在显微镜下沿切割轮廓进行剥离。