[发明专利]一种增强特殊分布缺陷检测的方法

说明书

一种增强特殊分布缺陷检测的方法，包括：在缺陷扫描机台进行缺陷扫描，以生成晶圆缺陷分布图；对缺陷分布图进行图形算法处理，以判断缺陷分布图是否具有特殊分布缺陷图；对不具有特殊分布缺陷图的晶圆，根据相应制程之缺陷控制规范所设定的OOC/OOS值按照第一规则检查判断；对具有特殊分布缺陷图的晶圆，进行图形算法处理，并对特殊分布缺陷图进行提取和分类，匹配不同的OOC/OOS值，按照第二规则检查判断。本发明进一步增加特殊分布缺陷图定义，并匹配不同的OOC/OOS值，以对具有特殊分布缺陷图的晶圆进行检查判断，不仅时效性强，可及时发现特殊分布缺陷图，而且取样针对性高，增强对特殊分布缺陷群取样检查，增加样本量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种增强特殊分布缺陷检测的方法。

背景技术

在半导体芯片制造工艺中，合理、高效的缺陷监控体系的建立可实现实时监控晶圆由制程或机台异常所引起的缺陷状态，并及时确认缺陷原因。所述缺陷监控体系在减少缺陷、提升良率的过程中发挥着重要的作用。

目前，常规的缺陷监控流程如下，首先在缺陷扫描机台进行缺陷扫描生成晶圆缺陷分布图(DefectMap)，根据相应制程之缺陷控制规范所设定的超出控制值(OOC,OutOfControl)和超出规范值(OOS,Out OfSpecification)判断是否触发报警，未触发的晶圆直接进入下一环节，触发报警的晶圆则进行缺陷电镜影像取样检测确认缺陷影像。

请参阅图5，图5所示为现有缺陷监控流程的缺陷数量趋势图。显然地，所述缺陷监控流程存在以下缺点，(1)时效性差：对存在特殊分布缺陷的晶圆可能会因缺陷数量未触发OOC/OOS，则系统会自动放行，导致未在第一时间进行缺陷图像检测，如图5所示的边部团簇缺陷5。(2)取样缺乏针对性：当存在轻微特殊缺陷图形的晶圆因总缺陷数量较高而触发OOC，但由于特殊缺陷图形相对轻微，导致抽样时相对样本量偏少，影响缺陷判断，如图5所示的中心团簇缺陷6。

寻求一种时效性强、针对性高，并不会遗漏轻微的特殊缺陷图形之晶圆缺陷监控方法已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种增强特殊分布缺陷检测的方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统的缺陷监控流程存在时效性差，取样缺乏针对性等缺陷提供一种增强特殊分布缺陷检测的方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种增强特殊分布缺陷检测的方法，所述增强特殊分布缺陷检测的方法，包括：

执行步骤S1：在缺陷扫描机台进行缺陷扫描，以生成晶圆缺陷分布图；

执行步骤S2：对所述晶圆缺陷分布图进行图形算法处理，以判断所述晶圆缺陷分布图是否具有特殊分布缺陷图；

执行步骤S3：对不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆，根据相应制程之缺陷控制规范所设定的超出控制值和超出规范值按照第一规则进行随机样品检查判断；对具有特殊分布缺陷图的所述晶圆，进行图形算法处理，并对所述特殊分布缺陷图进行提取和分类，进而针对各种类型的特殊分布缺陷图匹配不同的超出控制值和超出规范值，按照第二规则进行特殊分布缺陷图之样品检查判断。

可选地，所述增强特殊分布缺陷检测的方法，进一步包括：

执行步骤S4：按所述第一规则进行判断时，若不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆未触发报警，则对未触发报警的所述晶圆进行批放行；若不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆触发报警，则执行失控行动计划，对不具有特殊分布缺陷图的所述晶圆进行随机样品检查判断；

执行步骤S5：按所述第二规则进行判断时，若具有特殊分布缺陷图的所述晶圆未触发报警，则对未触发报警的所述晶圆进行批放行；若具有特殊分布缺陷图的所述晶圆触发报警，则执行失控行动计划，对具有特殊分布缺陷图的所述晶圆进行样品检查。