[发明专利]一种超高集成的多路并行光电转换组件

权利要求书

1.一种超高集成的多路并行光电转换组件，包括外壳体(1)、设置在外壳体中的电源保护电路板(2)、与电源保护电路板(2)连接的电源走线板(3)，其特征在于还包括多个集成腔体(4)，多个集成腔体与电源走线板(3)连接；每个集成腔体内设置有探测器芯片(5)、射频放大器(6)和射频可调衰减器(7)；在每个集成腔体内，探测器芯片与腔体顶部的光耦合系统连接，射频可调衰减器与设置在腔体底部的SSMP连接器(12)连接，射频放大器设置在探测器芯片和射频可调衰减器之间；探测器芯片与射频放大器之间、射频放大器与射频可调衰减器之间以及射频可调衰减器与SSMP连接器之间均通过微带线连接。

2.如权利要求1所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于所述探测器芯片(5)固定在陶瓷基板(8)上，陶瓷基板固定在腔体中；探测器芯片的供电端连接有锥形电感(9)，陶瓷基板上还集成有T型网络电路(10)，探测器芯片通过T型网络电路与微带线连接；通过T型网络电路把探测器芯片的输出阻抗拉低至50Ω，通过锥形电感改善光电转换组件的平坦度和多路通道之间的隔离度。

3.如权利要求2所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于微带线与T型网络电路之间、微带线与微带线之间、微带线与射频放大器之间、微带线与射频可调衰减器之间均采用金丝键合的方式实现互连。

4.如权利要求1所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于微带线与SSMP连接器的中心导体采用电阻焊裹金带的方式连接。

5.如权利要求1-4任一所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于微带线为50欧姆传输线。

6.如权利要求1或2所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于射频放大器(6)固定在钨铜垫片(11)上，钨铜垫片固定在腔体中，所述钨铜垫片用于满足产品散热和膨胀系数的要求，提升产品在高、低温下的可靠性。

7.如权利要求1所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于光耦合系统采用单纤形式，光纤与探测器芯片耦合处设有42°斜面，通过42°光纤斜面把光信号全反射到探测器芯片的光敏面上；多路探测器芯片各自耦合完成后，通过并带工艺，把多路光纤合成到一个AMT连接器(23)。

8.如权利要求1所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于每个腔体上还密封有铜材质的小盖板(16)。

9.如权利要求1所述的超高集成的多路并行光电转换组件，其特征在于该光电转换组件0.8～18GHz的带内隔离度≥65dBc，0.8～18GHz的带内平坦度≤±1dB，射频放大器的通道增益为15dB。