[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底基板上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，以形成栅极、扫描线和数据线，所述栅极与所述扫描线连接，所述数据线与所述扫描线相交设置，且所述数据线在与所述扫描线相交的位置处断开；

在所述衬底基板上依次形成绝缘层和半导体层，所述绝缘层具有贯穿的第一通孔，所述第一通孔露出部分所述数据线，所述半导体层与所述栅极相对设置；

在所述衬底基板上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以形成第一极、第二极和第二通孔，所述第一极和所述第二极间隔设置且均与所述半导体层连接，且所述第一极通过所述第一通孔与所述数据线相连，所述第二通孔贯穿所述绝缘层并露出部分所述数据线；

在所述衬底基板上形成透明导电膜，对所述透明导电膜进行图案化处理，以形成相断开的像素电极和导电桥，所述导电桥通过所述第二通孔将位于所述扫描线两侧的所述数据线连接，所述像素电极与所述第二极直接接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述第二金属层进行图案化处理，以形成第一极、第二极和第二通孔，包括：

在所述第二金属层上涂覆光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模版对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以形成厚度依次减小的第一膜厚区、第二膜厚区及第三膜厚区；

利用第一次刻蚀工艺将与所述第三膜厚区对应的第二金属层完全刻蚀；

利用第二次刻蚀工艺将与所述第二膜厚区对应的第二金属层部分刻蚀，同时将与所述第三膜厚区对应的所述绝缘层部分刻蚀；

利用第三次刻蚀工艺将所述第一膜厚区的光刻胶、与所述第二膜厚区对应的第二金属层的剩余部分、及与所述第三膜厚度对应的所述绝缘层的剩余部分完全刻蚀，以使所述第二金属层形成有与所述第一膜厚区对应的第一极和第二极，同时使所述绝缘层形成有与所述第三膜厚区对应的第二通孔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述第一膜厚区包括间隔设置的第一部和第二部，所述第一部对应所述第一极，所述第二部对应所述第二极，所述第一部和所述第二部的四周均被所述第二膜厚区包围；

所述第三膜厚区的四周被所述第二膜厚区包围；或所述第三膜厚区远离所述第一膜厚区的一侧未被所述第二膜厚区包围，其余侧均被所述第二膜厚区包围。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三膜厚区处所述光刻胶的厚度为0。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成相断开的像素电极和导电桥之后，所述制作方法还包括：

在所述衬底基板上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述像素电极和所述导电桥。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成钝化层之后，所述制作方法还包括：

通过网印刻蚀工艺将所述钝化层中与焊接区对应的部分完全刻蚀，以使所述焊接区外露。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极和所述导电桥的材料包括氧化铟锡。