[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置，阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管、像素电极、扫描线及数据线；薄膜晶体管的半导体层位于栅极远离衬底基板的一侧且绝缘设置，薄膜晶体管的第一极和第二极间隔设置且均与半导体层连接，扫描线与栅极连接，数据线与第一极连接，像素电极与第二极连接，扫描线、数据线及薄膜晶体管的栅极同层设置，数据线与扫描线相交设置，且数据线与扫描线相交的位置处断开；第一极位于绝缘层远离衬底基板的一侧，并通过贯穿绝缘层的第一通孔与数据线连接；像素电极与第二极直接接触；阵列基板还包括与像素电极同层设置且相断开的导电桥，导电桥通过第二通孔将断裂的数据线连接。本方案可减少制程，减少成本。

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

TFT(薄膜晶体管)是显示装置的重要组成部分，可制作于玻璃基板或塑料基板上，作为开关器件或驱动器件。绝缘层在制作TFT基板的过程中，除了基板以外，每一层结构的形成均需要通过一道光刻制程，即通过包括成膜、黄光蚀刻、剥离等一系列工序。其中，黄光制程又进一步包括涂布光阻、曝光、显影，并且每一道黄光制程需要相应的光罩。然而，过多的光罩次数会增加制程成本，同时也会造成工序流程过长和良品率问题的累积，使生产效率大大降低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本申请提供了一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底基板上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，以形成栅极、扫描线和数据线，所述栅极与所述扫描线连接，所述数据线与所述扫描线相交设置，且所述数据线在与所述扫描线相交的位置处断开；

在所述衬底基板上依次形成绝缘层和半导体层，所述绝缘层具有贯穿的第一通孔，所述第一通孔露出部分所述数据线，所述半导体层与所述栅极相对设置；

在所述衬底基板上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以形成第一极、第二极和第二通孔，所述第一极和所述第二极间隔设置且均与所述半导体层连接，且所述第一极通过所述第一通孔与所述数据线相连，所述第二通孔贯穿所述绝缘层并露出部分所述数据线；

在所述衬底基板上形成透明导电膜，对所述透明导电膜进行图案化处理，以形成相断开的像素电极和导电桥，所述导电桥通过所述第二通孔将位于所述扫描线两侧的所述数据线连接，所述像素电极与所述第二极直接接触。

在本申请的一种示例性实施例中，所述对所述第二金属层进行图案化处理，以形成第一极、第二极和第二通孔，包括：

在所述第二金属层上涂覆光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模版对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以形成厚度依次减小的第一膜厚区、第二膜厚区及第三膜厚区；

利用第一次刻蚀工艺将与所述第三膜厚区对应的第二金属层完全刻蚀；

利用第二次刻蚀工艺将与所述第二膜厚区对应的第二金属层部分刻蚀，同时将与所述第三膜厚区对应的所述绝缘层部分刻蚀；

利用第三次刻蚀工艺将所述第一膜厚区的光刻胶、与所述第二膜厚区对应的第二金属层的剩余部分、及与所述第三膜厚度对应的所述绝缘层的剩余部分完全刻蚀，以使所述第二金属层形成有与所述第一膜厚区对应的第一极和第二极，同时使所述绝缘层形成有与所述第三膜厚区对应的第二通孔。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一膜厚区包括间隔设置的第一部和第二部，所述第一部对应所述第一极，所述第二部对应所述第二极，所述第一部和所述第二部的四周均被所述第二膜厚区包围；