[发明专利]一种双色红外器件结构及红外探测器

权利要求书

1.一种双色红外器件结构，其特征在于，所述双色红外器件结构具有从下至上设置的复合衬底、第一吸收层、复合势垒层、第二吸收层和上电极层；

所述复合衬底包括从下至上设置的：

第一衬底，材料为InSb，作为所述双色红外器件的基础层；

过渡层，材料为InSb，作为缓冲层和下电极层；

所述第一吸收层，材料为InSb，用以实现对第一波段的红外光的探测；

所述复合势垒层包括从下至上设置的：

第一势垒层，材料为InAlSb，含有第一梯度组分的Al，且第一梯度组分从0％过渡到第一组分；

第二势垒层，材料为InAlSb，含有第一组分的Al；

所述第二吸收层，材料为InAsSb，含有第二组分的As，用以实现对第二波段的红外光的探测，且所述第二波段的波长大于所述第一波段的波长；

所述上电极层，材料为InAsSb，含有第二组分的As；

所述过渡层的厚度为0.3μm～0.5μm，所述第一吸收层的厚度为3μm～5μm，所述第一势垒层的厚度为0.3μm，所述第二势垒层的厚度为0.2μm，所述第二吸收层的厚度为2～3μm，所述上电极的厚度为0.2～0.5μm；

所述第一组分为44％；

所述第二组分满足36％～37％；

所述过渡层，掺杂类型为n型，掺杂浓度大于5×10¹⁷cm^-3；

所述第一吸收层，掺杂类型为n型，掺杂浓度为3×10¹⁶cm^-3-5×10¹⁶cm^-3；所述第一势垒层，掺杂类型为n型，掺杂浓度3×10¹⁶cm^-3-5×10¹⁶cm^-3；

所述第二势垒层，掺杂类型为n型，掺杂浓度3×10¹⁶cm^-3-5×10¹⁶cm^-3；

所述第二吸收层，掺杂类型为n型，掺杂浓度3×10¹⁶cm^-3-5×10¹⁶cm^-3；

所述上电极层，掺杂类型为n型，掺杂浓度大于5×10¹⁷cm^-3。

2.一种双色红外探测器，其特征在于，所述双色红外探测器具有如权利要求1所述的双色红外器件结构。