[发明专利]芯片的筛片方法、装置及筛片设备

权利要求书

1.一种芯片的筛片方法，其特征在于，所述方法包括：

对多个样品芯片进行板级测试，所述板级测试的环境温度为极限温度，将满足第一预定条件的所述样品芯片确定为第一目标芯片，获取多个所述第一目标芯片的静态电流值和振荡频率值，并确定静态电流阈值和振荡频率阈值，所述极限温度为所述样品芯片的应用场景的最高环境温度，所述第一预定条件为测试芯片正常工作且结温值在第一预定范围内；

对所述第一目标芯片进行FT测试，将满足第二预定条件的所述第一目标芯片确定为第二目标芯片，所述第二预定条件为测试芯片在预定时间内的结温温升值在第二预定范围内；

对所述第二目标芯片进行板级测试，所述板级测试的环境温度为极限温度，将满足所述第一预定条件和所述第二预定条件的所述第二目标芯片确定为第三目标芯片，获取所述第三目标芯片在所述FT测试中的结温温升值，确定结温温升阈值；

根据所述静态电流阈值、所述振荡频率阈值和所述结温温升阈值对待测试芯片进行筛片，所述待测试芯片与所述样品芯片为相同型号的芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述第一目标芯片进行FT测试，将满足第二预定条件的所述第一目标芯片确定为第二目标芯片之前，所述方法还包括：

对多个所述第一目标芯片进行板级测试，所述板级测试的环境温度为极限温度，检测所述第一目标芯片的结温值为预定温度的情况下，所述第一目标芯片在所述预定时间内的结温温升值，得到第一结温温升值；

根据所述第一结温温升值确定所述第二预定范围。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一目标芯片进行FT测试，将满足第二预定条件的所述第一目标芯片确定为第二目标芯片，包括：

在测试温度为设定温度和测试激励为设定测试激励的情况下，检测所述第一目标芯片在所述预定时间的结温温升值，得到第二结温温升值，所述测试温度为对所述第一目标芯片进行所述FT测试的环境温度，所述测试激励为对所述第一目标芯片进行所述FT测试的激励；

调整所述设定温度和所述设定测试激励，直至得到所述第二目标芯片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述静态电流阈值、所述振荡频率阈值和所述结温温升阈值对待测试芯片进行筛片，包括：

在所述环境温度为生产温度的情况下，获取所述待测试芯片的静态电流值和所述待测试芯片的振荡电路的振荡频率值，得到目标静态电流值和目标振荡频率值，所述生产温度为所述待测试芯片生产作业时所处的环境的温度；

在所述待测试芯片的结温值为预定温度的情况下，检测所述待测试芯片在所述预定时间内的结温温升值，得到目标结温温升值；

在所述目标静态电流值小于或者等于所述静态电流阈值、所述目标振荡频率值小于或者等于所述振荡频率阈值和所述目标结温温升值小于或者等于所述结温温升阈值均成立的情况下，确定所述待测试芯片合格。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定温度在110℃～120℃之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定时间大于或者等于100ms。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预定范围为115℃～125℃。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二预定范围的最小值为第一温升值，所述第二预定范围的最大值为第二温升值，所述第一温升值为所述第一结温温升值的70％～90％，所述第二温升值为所述第一结温温升值的110％～130％。