[发明专利]等离子处理设备在审

专利信息
申请号: 202111473502.2 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114203509A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 曾辉 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 孟霞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种等离子处理设备,用于在基板的指定区域形成等离子体,其特征在于,包括:

等离子体发生器,用于产生等离子体,所述等离子体发生器包括至少一出气口,所述等离子体发生器的出气口用于向所述基板的指定区域输出等离子体;

负压装置,设置于所述等离子体发生器的外侧,所述负压装置包括至少一吸收腔、以及位于所述吸收腔端部的进气口,所述负压装置的进气口用于吸收溅出所述基板的指定区域的等离子体,所述负压装置的进气口与所述等离子体发生器的出气口具有相同朝向。

2.如权利要求1所述的等离子处理设备,其特征在于,所述负压装置围绕所述等离子体发生器设置。

3.如权利要求1所述的等离子处理设备,其特征在于,所述等离子体发生器沿第一方向向指定区域输出等离子体,所述负压装置的进气口沿所述第一方向相对于所述等离子发生器的出气口向外侧突出。

4.如权利要求3所述的等离子处理设备,其特征在于,所述负压装置包括远离所述等离子体发生器的第一侧壁和靠近所述等离子体发生器的第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁围成所述负压装置的吸收腔;

其中,所述负压装置还包括延伸壁,所述延伸壁沿所述第一方向相对于所述负压装置的进气口向外侧延伸,所述延伸壁与所述第一侧壁接触。

5.如权利要求4所述的等离子处理设备,其特征在于,所述等离子体发生器包括等离子发生腔,所述延伸壁围成包围腔,所述包围腔位于所述等离子发生腔和所述吸收腔的外侧,所述包围腔通过所述等离子发生器的出气口与所述等离子发生腔连通,所述包围腔通过所述负压装置的进气口与所述吸收腔连通。

6.如权利要求4所述的等离子处理设备,其特征在于,所述第一侧壁和所述延伸壁为一体成型结构。

7.如权利要求4或6所述的等离子处理设备,其特征在于,所述负压装置还包括隔垫件,所述隔垫件设置于所述延伸壁上远离所述第一侧壁的一端。

8.如权利要求7所述的等离子处理设备,其特征在于,所述隔垫件包括弹性材料。

9.如权利要求1或4所述的等离子处理设备,其特征在于,所述负压装置还包括真空泵和至少一出气口,所述负压装置的出气口连接所述真空泵。

10.如权利要求1或4所述的等离子处理设备,其特征在于,所述等离子体发生器的进气口设置于所述等离子发生腔远离所述等离子体发生器的出气口的一端;所述负压装置的出气口设置于所述吸收腔远离所述负压装置的进气口的一端。

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