[发明专利]等离子处理设备在审
申请号: | 202111473502.2 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114203509A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 曾辉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 设备 | ||
本申请实施例公开了一种等离子处理设备,在等离子体发生器的一外侧或周围设置负压装置,负压装置可以抽取将要逸散和超出等离子处理范围的等离子体,从而防止等离子体向待处理基板的待处理面的背面逸散,可以限定等离子处理的范围,从而提升显示面板的性能。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种等离子处理设备。
背景技术
有机发光显示面板(Organic Light Emitting Diode,OLED)由于具有结构简单、自发光、响应速度快、超轻薄、低功耗等优点,有机发光显示面板正被各大显示器厂商大力开发。有机发光显示面板生产过程中需要对基板表面进行等离子(plasma)处理来降低接触角,如图1所示,图1为现有技术的等离子处理设备的示意图,图1示意了现有技术中对基板进行等离子处理的过程,等离子体发生器10通过第一进气口11导入气体,通过第一出气口12沿第一方向y向外输出等离子体40,等离子体40轰击在基板30的第一膜层31的表面,然而会有一部分等离子体40会通过路径41逸散至基板30的第二膜层32的表面,即等离子体发生器不能限定等离子处理的范围,当第一膜层31为阵列基板、第二膜层32为有机发光显示面板的发光器件层时,等离子体40会损坏发光器件层的特性,导致有机发光显示面板的器件效率和寿命下降。
因此,当前等离子处理设备存在等离子体会向待处理基板的待处理面的背面逸散,不能限定等离子处理的范围,降低显示面板的性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种等离子处理设备,可以解决现有等离子处理设备存在等离子体会向待处理基板的待处理面的背面逸散,不能限定等离子处理的范围的问题,导致降低显示面板性能的问题。
本申请实施例提供了一种等离子处理设备,用于在基板的指定区域形成等离子体,包括:
等离子体发生器,用于产生等离子体,所述等离子体发生器包括至少一出气口,所述等离子体发生器的出气口用于向所述基板的指定区域输出等离子体;
负压装置,设置于所述等离子体发生器的外侧,所述负压装置包括至少一吸收腔、以及位于所述吸收腔端部的进气口,所述负压装置的进气口用于吸收溅出所述基板的指定区域的等离子体,所述负压装置的进气口与所述等离子体发生器的出气口具有相同朝向。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述负压装置围绕所述等离子体发生器设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述等离子体发生器沿第一方向向指定区域输出等离子体,所述负压装置的进气口沿所述第一方向相对于所述等离子发生器的出气口向外侧突出。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述负压装置包括远离所述等离子体发生器的第一侧壁和靠近所述等离子体发生器的第二侧壁,所述第一侧壁和所述第二侧壁围成所述负压装置的吸收腔;
其中,所述负压装置还包括延伸壁,所述延伸壁沿所述第一方向相对于所述负压装置的进气口向外侧延伸,所述延伸壁与所述第一侧壁接触。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述等离子体发生器包括等离子发生腔,所述延伸壁围成包围腔,所述包围腔位于所述等离子发生腔和所述吸收腔的外侧,所述包围腔通过所述等离子发生器的出气口与所述等离子发生腔连通,所述包围腔通过所述负压装置的进气口与所述吸收腔连通。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一侧壁和所述延伸壁为一体成型结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述负压装置还包括隔垫件,所述隔垫件设置于所述延伸壁上远离所述第一侧壁的一端。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述隔垫件包括弹性材料。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述负压装置还包括真空泵和至少一出气口,所述负压装置的出气口连接所述真空泵。
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