[发明专利]金属镀膜的成膜装置和成膜方法在审
申请号: | 202111483919.7 | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN114635123A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 佐藤祐规 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张智慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 镀膜 装置 方法 | ||
1.成膜装置,是用于采用固相置换型无电镀法在第二金属的镀膜上形成第一金属的成膜装置,包含:
用于设置具有第二金属的镀膜的基材的导电性的装载台、
在导电性的装载台上设置的第三金属、
在导电性的装载台上设置的绝缘性材料、
用于浸渍向基材上的第二金属的镀膜递送的包含第一金属的离子的置换型无电镀浴的微多孔膜、
开口部设置有微多孔膜的用于容纳包含第一金属的离子的置换型无电镀浴的镀浴室、
使微多孔膜与基材上的第二金属的镀膜接触后用于将镀浴室与基材相对地挤压的挤压手段,
其中,第三金属具有比第一金属和第二金属大的离子化倾向,在设置了具有第二金属的镀膜的基材时绝缘性材料设置在基材与第三金属之间以致与各个材料相接。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,设置了具有第二金属的镀膜的基材时,具有第二金属的镀膜的基材、第三金属和绝缘性材料具有相同的高度,在同一水平面上。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其中,导电性的装载台在设置第三金属的部位具有与第三金属的宽度相同的宽度的凸部,其中,宽度为基材和绝缘性材料和第三金属排列方向的长度,第三金属设置在导电性的装载台的凸部上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的成膜装置,其中,第三金属为铝或铁。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的成膜装置,其中,绝缘性材料包含绝缘性高分子。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的成膜装置,其中,基材为铜基材,第一金属为金,第二金属为镍。
7.一种方法,是采用固相置换型无电镀法在第二金属的镀膜上形成第一金属的方法,其包括:
(i)在导电性的装载台上设置具有第二金属的镀膜的基材的工序,其中,设置基材以致基材的形成有第二金属的镀膜的面的相反面与导电性的装载台相接;
(ii)在导电性的装载台上设置第三金属的工序,其中,第三金属具有比第一金属和第二金属大的离子化倾向;
(iii)在导电性的装载台上设置绝缘性材料的工序,其中,将绝缘性材料设置在基材与第三金属之间以致与各个材料相接;
(iv)设置微多孔膜的工序,其中,设置微多孔膜以致与基材上的第二金属的镀膜相接;
(v)设置包含第一金属的离子的置换型无电镀浴的工序,其中,设置包含第一金属的离子的置换型无电镀浴以致与微多孔膜相接;和
(vi)将容纳包含第一金属的离子的置换型无电镀浴的镀浴室和基材相对地挤压的工序。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,第三金属为铝或铁。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其中,基材为铜基材,第一金属为金,第二金属为镍。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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C23C18-18 ..待镀材料的预处理