[发明专利]深沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备

权利要求书

1.一种深沟道型功率器件版图结构，其特征在于，包括版图单元，所述版图单元上包括多条间隔设置的沟道和连接通道，所述沟道和连接通道均为之字形；所述沟道包括多个间隔设置且首尾相连的第一子沟道和第二子沟道，所述第一子沟道沿第一方向排布，所述第二子沟道沿第二方向排布，所述连接通道包括多个间隔设置且首尾相连的第一连接子通道和第二连接子通道，所述第一连接子通道沿第一方向排布，所述第二连接子通道沿第二方向排布，所述第一方向和第二方向之间存在夹角。

2.根据权利要求1所述的深沟道型功率器件版图结构，其特征在于，所述第一子沟道的长度和第二子沟道的长度相等，所述第一连接子通道的长度和第二连接子通道的长度相等。

3.根据权利要求2所述的深沟道型功率器件版图结构，其特征在于，所述第一子沟道的长度与所述第一连接子通道的长度相等。

4.根据权利要求1所述的深沟道型功率器件版图结构，其特征在于，所述第一方向和第二方向的夹角为90°。

5.根据权利要求1所述的深沟道型功率器件版图结构，其特征在于，所述沟道和连接通道之间设置有间隙。

6.根据权利要求1所述的深沟道型功率器件版图结构，其特征在于，任意两条相邻的沟道之间的间距与任意两条相邻的连接通道的间距相等。

7.一种半导体功率器件，其特征在于，包括器件本体，所述器件本体具有如权利要求1-6中任一所述的深沟道型功率器件版图结构。

8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求7所述的半导体功率器件。