[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括VCSEL芯片和与所述VCSEL芯片的P面电极连接的VCSOA阵列芯片；

所述VCSEL芯片中所述P面电极处的出光口与所述VCSOA阵列芯片中N面电极的进光口对准；所述VCSEL芯片包括用于产生种子激光的单独的谐振腔；所述VCSOA阵列芯片包括衬底和位于所述衬底上方的谐振腔阵列，且所述衬底的上表面分布有预设图案；

所述预设图案用于使所述种子激光在所述衬底的上表面和下表面之间往复发生漫反射或散射，以使所述种子激光覆盖整个所述衬底；所述谐振腔阵列用于对进入所述谐振腔阵列的激光进行功率放大，且放大后激光与所述种子激光的光谱带宽相同。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

设于所述衬底的下表面的所述预设图案。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述预设图案包括多个散射单元，且所述散射单元的尺寸在λ±50％的范围内，λ为种子激光的波长。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述VCSOA阵列芯片的面积小于所述述VCSEL芯片的面积。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述VCSOA阵列芯片还包括设于所述衬底的上表面的缓冲层。

6.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

制备VCSEL芯片；所述VCSEL芯片的P面电极处形成有出光口，且所述VCSEL芯片中形成有用于产生种子激光的单独的谐振腔；

在衬底的上表面制作预设图案，并利用所述衬底制备得到VCSOA阵列芯片；所述VCSOA阵列芯片的N面电极形成有进光口，且所述VCSOA阵列芯片在所述衬底的上方形成有谐振腔阵列；

将所述VCSOA阵列芯片的所述N面电极与所述VCSEL芯片的所述P面电极连接，且使所述出光口与所述出光口对准；

其中，所述预设图案用于使所述种子激光在所述衬底的上表面和下表面之间往复发生漫反射或散射，以使所述种子激光覆盖整个所述衬底；所述谐振腔阵列用于对进入所述谐振腔阵列的激光进行功率放大，且放大后激光与所述种子激光的光谱带宽相同。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在衬底的上表面制作预设图案之后，还包括：

在所述衬底的下表面制作所述预设图案。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，将所述VCSOA阵列芯片的所述N面电极与所述VCSEL芯片的所述P面电极连接包括：

采用焊接技术，将所述VCSOA阵列芯片的所述N面电极与所述VCSEL芯片的所述P面电极连接。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，将所述VCSOA阵列芯片的所述N面电极与所述VCSEL芯片的所述P面电极连接包括：

采用金属键合方式，将所述VCSOA阵列芯片的所述N面电极与所述VCSEL芯片的所述P面电极连接。

10.如权利要求6至9任一项所述的半导体器件，其特征在于，利用所述衬底制备得到VCSOA阵列芯片之前，还包括：

在所述衬底的上表面生长缓冲层。