[发明专利]一种PERC电池片的制作工艺

权利要求书

1.一种PERC电池片的制作工艺，其特征在于，其包括对P型硅片依次进行的：制绒、扩散、SE激光掺杂、热氧化、抛光、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、丝网印刷和烧结；在热氧化时，先通入携带磷源的氮气和氧气进行热处理，再通入氮气和氧气进行氧化；在SE激光掺杂和激光开槽时，控制激光处理产生的光斑间隔设置，且相邻光斑的间距为15μm～30μm。

2.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，所述P型硅片的厚度为150μm～170μm。

3.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，热处理的温度为600℃～900℃，氧气的通入量为800sccm～1500sccm，氮气的通入量为500sccm～800sccm，小氮的通入量为500sccm～800sccm，热处理的时间为100～400s；

和/或，氧化的温度为600℃～900℃，氧气的通入量为800sccm～1500sccm，氮气的通入量为1000sccm～2000sccm，氧化的时间为600s～1000s。

4.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，SE激光掺杂的方法为：选择性发射极在扩散处理后的P型硅片上，通过微米尺寸的激光束进行杂质原子的重掺杂，激光功率为30W～40W，激光处理产生的光斑呈线型排列，且相邻光斑的间距为15μm～20μm。

5.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，激光开槽的方法是：采用激光刻蚀掉部分背面镀膜的层结构，激光功率为20W～30W，激光处理产生的光斑呈线型排列，且相邻光斑的间距为20μm～30μm，同一线型上的光斑段和非光斑段的长度比为(0.45～0.55)：(0.45～0.55)。

6.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，背面镀膜的方法为：采用PECVD，先使用臭氧及三甲基铝沉积背面氧化铝层，再使用硅烷及氨气沉积背面氮化硅层，所述背面氧化铝层和所述背面氮化硅层的总厚度为90nm～150nm。

7.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，正面镀膜的方法为：采用PECVD，使用硅烷及氨气，并通入射频反应后沉积形成正面氮化硅层，厚度为65nm～85nm，折射率为2.10～2.18。

8.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，制绒的方法为：对所述P型硅片进行清洗和制绒，形成高度为0.5μm～5μm的金字塔绒面。

9.根据权利要求1所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，扩散的方法为：将制绒后的P型硅片在扩散温度为750℃～850℃的条件下，正面沉积掺杂源并扩散30min～60min，制得磷掺杂N+发射结层。

10.根据权利要求9所述的PERC电池片的制作工艺，其特征在于，退火的方法为：将抛光后的P型硅片在退火的温度为750℃～850℃的条件下，通入氧气，以在所述磷掺杂N+发射结层上生长正面二氧化硅层。