[发明专利]一种PERC电池片的制作工艺

说明书

本申请实施例提供一种PERC电池片的制作工艺，涉及光伏产品制备技术领域。PERC电池片的制作工艺，其包括对P型硅片依次进行的：制绒、扩散、SE激光掺杂、热氧化、抛光、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、丝网印刷和烧结；在热氧化时，先通入携带磷源的氮气和氧气进行热处理，再通入氮气和氧气进行氧化；在SE激光掺杂和激光开槽时，控制激光处理产生的光斑间隔设置，且相邻光斑的间距为15μm～30μm。本申请实施例的PERC电池片的制作工艺尤其适用于薄片电池的制作，保证薄片电池的转换效率，同时减少碎片不良的比例。

技术领域

本申请涉及光伏产品制备技术领域，具体而言，涉及一种PERC电池片的制作工艺。

背景技术

目前，随着光伏产业的蓬勃发展，产业链的各个模块依照各自情况进行成本上的降低，以带来更多的利润，其中，PERC电池(Passivated Emitterand Rear Cell)由于其转化效率较高，得到了业界的广泛关注，PERC电池制造对硅片的需求量不断提升。

为了降低光伏产品的成本，硅片薄片化是一个必然的趋势。但随着硅片的减薄，不利于电池片的光学吸收，且在生产过程中碎片的比例也会有所提高，不利于电池片的生产。在PERC电池制程中，硅片的厚度对电池的性能有着绝对的影响，硅片的减薄会降低电池片的光学吸收能力，光子更加容易穿透薄片化后的电池片造成光学损失，降低电池的转换效率；且薄片化后的硅片更加的脆弱，在生产过程中，尤其是激光开槽这类会对硅片有一定损伤的工序中，碎片比例都会有所提高，反倒不利于生产成本的控制。

为了使薄片化PERC电池在市场上保持一定的产品竞争力，需要对其制程进行改良，以提升电池的各项表现。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种PERC电池片的制作工艺，尤其适用于薄片电池的制作，保证薄片电池的转换效率，同时减少碎片不良的比例。

第一方面，本申请实施例提供了一种PERC电池片的制作工艺，其包括对P型硅片依次进行的：制绒、扩散、SE(selective emitter，选择性发射极)激光掺杂、热氧化、抛光、退火、背面镀膜、正面镀膜、激光开槽、丝网印刷和烧结；在热氧化时，先通入携带磷源的氮气和氧气进行热处理再通入氮气和氧气进行氧化；在SE激光掺杂和激光开槽时，控制激光处理产生的光斑间隔设置，且相邻光斑的间距为15μm～30μm。

在上述技术方案中，在扩散、SE激光掺杂后，再进行热氧化，热氧化工序中先通入磷源，使得P型硅片实现再一次扩散，加强电池的扩散性能，且能够在SE激光形成的重掺杂区域提供更好的保护，减少P型硅片后序处理时酸碱的影响；而且SE激光掺杂及激光开槽时控制激光产生光斑的间距，降低工艺制程中可能对P型硅片造成的损伤，尤其适用于薄片电池的制作，保证薄片电池的转换效率，同时减少碎片不良的比例。

在一种可能的实现方式中，P型硅片的厚度为150μm～170μm。

在上述技术方案中，适应市场薄片化硅片的趋势，减少因硅片厚度改变之后的效率损失及碎片比例提高。

在一种可能的实现方式中，热处理的温度为600℃～900℃，氧气的通入量为800sccm～1500sccm，氮气的通入量为500sccm～800sccm，小氮的通入量为500sccm～800sccm，热处理的时间为100～400s；

和/或，氧化的温度为600℃～900℃，氧气的通入量为800sccm～1500sccm，氮气的通入量为1000sccm～2000sccm，氧化的时间为600s～1000s。

在上述技术方案中，先采用磷源进行热处理，再进行氧化工艺，从而在正面的SE激光处理形成的重掺杂区域生长一层初级二氧化硅保护层，使重掺杂区域的制绒形成的金字塔绒面得到有效的保护。