[发明专利]提升拼接工艺窗口容许度的方法在审

专利信息
申请号: 202111526095.7 申请日: 2021-12-14
公开(公告)号: CN114236973A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 李文亮;吴鹏 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 提升 拼接 工艺 窗口 容许 方法
【权利要求书】:

1.一种提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,包括:

第一步骤:对目标图形进行切割以得到多个初始图形,其中,各所述初始图形包括多个相同或者不同图案的子图形;

第二步骤:对各所述初始图形在四周的切割线位置进行补偿处理以得到多个修正图形;

第三步骤:将所述修正图形做在掩模板上;

第四步骤:按照切割前的所述目标图形的样式,利用具有所述修正图形的掩模板对晶圆依次进行曝光,其中,曝光在晶圆上的两两相邻的所述修正图形的切割线完全重合并且各所述修正图形的切割线外侧的区域为重复曝光区。

2.根据权利要求1所述的提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,所述第二步骤中,在各所述初始图形在四周的切割线的内侧或者外侧,对切割线边缘的所述子图形进行延伸和加宽处理以得到所述修正图形。

3.根据权利要求1所述的提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,所述第二步骤中,在各所述初始图形在四周的切割线的外侧和内侧,对切割线边缘的所述子图形进行延伸和加宽处理以得到所述修正图形。

4.根据权利要求2或3所述的提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,所述子图形延伸的长度大于0并且小于所述初始图形的总长度。

5.根据权利要求2或3所述的提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,所述子图形加宽的宽度大于0并且小于同一初始图形中所述子图形与相邻子图形之间的间距。

6.根据权利要求1所述的提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,所述第三步骤包括:将多个不同图案的所述修正图形做在同一掩模板上,或者,将多个不同图案的所述修正图形做在不同的掩模板上。

7.根据权利要求1所述的提升拼接工艺窗口容许度的方法,其特征在于,所述子图形包括:线图形和孔洞图形。

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