[发明专利]提升拼接工艺窗口容许度的方法

说明书

本发明提供一种提升拼接工艺窗口容许度的方法，包括：切割目标图形得到多个初始图形，各所述初始图形包括多个子图形；对各所述初始图形在切割线位置进行补偿处理以得到多个修正图形；将所述修正图形做在多块掩模板上；利用多个所述掩模板对晶圆依次进行曝光，其中，曝光在晶圆上的两两相邻的修正图形的切割线完全重合。本申请通过对初始图形直接在切割线位置直接进行补偿，然后利用补偿后的修正图形上的切割线重合来对晶圆进行曝光，避免了拼接位置的初始图形断线和偏移的情况，提升了拼接位置的初始图形的错位和相互远离的容许度，保证了拼接曝光工艺的准确度和可靠性，也改善了套刻精度，提高了产品良率。

技术领域

本申请涉及拼接工艺技术领域，具体涉及一种提升拼接工艺窗口容许度的方法。

背景技术

由于光刻机最大曝光视场的限制，光刻机一次曝光最大尺寸为26*33mm，但是目前有很多单颗芯片的大小已经超过该尺寸，例如大尺寸的CIS芯片需要曝光的区域就超过了26*33mm，所以不能通过一次曝光将掩模板上的几何图形转移到CIS的晶圆上，这时一般需要使用拼接曝光工艺，多次曝光将掩模板上的几何图形在晶圆上拼接起来。但是现有的拼接曝光工艺存在相邻的曝光区域之间的几何图形断线和/或偏移的问题，导致不良品的数量增多。

发明内容

本申请提供了一种提升拼接工艺窗口容许度的方法，可以解决拼接曝光工艺中，相邻的曝光区域的目标图形断线和/或偏移的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种提升拼接工艺窗口容许度的方法，包括：

第一步骤：对目标图形进行切割以得到多个初始图形，其中，各所述初始图形包括多个相同或者不同图案的子图形；

第二步骤：对各所述初始图形在四周的切割线位置进行补偿处理以得到多个修正图形；

第三步骤：将所述修正图形做在掩模板上；

第四步骤：按照切割前的所述目标图形的样式，利用具有所述修正图形的掩模板对晶圆依次进行曝光，其中，曝光在晶圆上的两两相邻的所述修正图形的切割线完全重合并且各所述修正图形的切割线外侧的区域为重复曝光区。

可选的，在所述提升拼接工艺窗口容许度的方法中，所述第二步骤中，在各所述初始图形在四周的切割线的内侧或者外侧，对切割线边缘的所述子图形进行延伸和加宽处理以得到所述修正图形。

可选的，在所述提升拼接工艺窗口容许度的方法中，所述第二步骤中，在各所述初始图形在四周的切割线的外侧和内侧，对切割线边缘的所述子图形进行延伸和加宽处理以得到所述修正图形。

可选的，在所述提升拼接工艺窗口容许度的方法中，所述子图形延伸的长度大于0并且小于所述初始图形的总长度。

可选的，在所述提升拼接工艺窗口容许度的方法中，所述子图形加宽的宽度大于0并且小于同一初始图形中所述子图形与相邻子图形之间的间距。

可选的，在所述提升拼接工艺窗口容许度的方法中，所述第三步骤包括：将多个不同图案的所述修正图形做在同一掩模板上，或者，将多个不同图案的所述修正图形做在不同的掩模板上。

可选的，在所述提升拼接工艺窗口容许度的方法中，所述子图形包括：线图形和孔洞图形。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

本申请通过对初始图形直接在切割线位置直接进行补偿，然后利用补偿后的修正图形上的切割线重合来对晶圆进行曝光，避免了拼接位置的初始图形断线和偏移的情况，提升了拼接位置的初始图形的错位和相互远离的容许度，保证了拼接曝光工艺的准确度和可靠性，保证了目标图形转移到晶圆上的图案的完整性，也改善了套刻精度，提高了产品良率。