[发明专利]自清洁陶瓷砖及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111544368.0 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114031367B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 张辉;杨琳梓;袁飞 申请(专利权)人: 淄博金狮王科技陶瓷集团有限公司
主分类号: C04B33/04 分类号: C04B33/04;C04B33/13;C04B35/185;C04B35/195;C04B35/622;C04B41/87;C09D1/00;C09D7/63;C09D7/65
代理公司: 淄博市众朗知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37316 代理人: 丁鹏鹏;张宁
地址: 255000 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 清洁 陶瓷砖 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种自清洁陶瓷砖,其特征在于:包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层;以重量份数计,所述的陶瓷砖基体由以下原料组成:高岭土25-30份、煅烧铝矾土18-22份、硅藻土15-20份、焦宝石5-7份、莫来石10-14份、菱镁矿8-12份、锂基蒙脱土3-5份、偏硅酸钙1-3份、硅酸锆3-5份、碳化硅0.5-2份;以重量份数计,所述的自清洁涂层,包括以下原料:纳米氧化锌1-3份、纳米氧化铈1-3份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.22-0.25份、二甲基硅油0.03-0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.15-0.22份。

2.根据权利要求1所述的自清洁陶瓷砖,其特征在于:以重量份数计,所述的陶瓷砖基体由以下原料组成:高岭土28-30份、煅烧铝矾土18-20份、硅藻土18-20份、焦宝石5-7份、莫来石12-14份、菱镁矿8-10份、锂基蒙脱土3-5份、偏硅酸钙1-3份、硅酸锆3-5份、碳化硅0.5-1.0份。

3.根据权利要求1所述的自清洁陶瓷砖,其特征在于:以重量份数计,所述的陶瓷砖基体由以下原料组成:高岭土28份、煅烧铝矾土20份、硅藻土18份、焦宝石5份、莫来石12份、菱镁矿8份、锂基蒙脱土3份、偏硅酸钙1.5份、硅酸锆4份、碳化硅1.0份。

4.根据权利要求1所述的自清洁陶瓷砖,其特征在于:以重量份数计,所述的自清洁涂层,包括以下原料:纳米氧化锌3份、纳米氧化铈2份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。

5.一种权利要求1所述的自清洁陶瓷砖的制备方法,其特征在于:由以下步骤组成:

(1)将煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石以及菱镁矿进行球磨,过180-200目筛,然后加入高岭土、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆以及碳化硅搅拌混合,再次球磨,制备得到原料混合物;

(2)将原料混合物压制成型,制备得到坯体;

(3)将坯体以10-12℃/min的升温速度从室温升到580-620℃保温35-40min,然后以5-8℃/min的升温速度升到920-950℃保温50-60min,最后以3-5℃/min的升温速度上升到1200-1260℃保温45-50min进行烧制;

(4)以15-20℃/h的降温速率降至室温,得到陶瓷砖基体;

(5)制备自清洁涂层液;

(6)将步骤(5)制备得到的自清洁涂层液喷涂于步骤(4)制备得到的瓷砖基体上,然后烘干,形成自清洁涂层,制备得到自清洁陶瓷砖。

6.根据权利要求5所述的自清洁陶瓷砖的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的再次球磨时间为20-25h;

步骤(2)中所述的压制成型时压力为25-30MPa,巩固30-40min,然后脱模,制备得到坯体;

步骤(6)中静置24h,然后于100-105℃烘干24-36h。

7.根据权利要求5所述的自清洁陶瓷砖的制备方法,其特征在于:步骤(5)所述的自清洁涂层液的制备方法,由以下步骤组成:

(1)将纳米氧化锌和纳米氧化铈加入到正己烷中搅拌一段时间,得到悬浮液;

(2)搅拌情况下向上述悬浮液中加入氨水,继续搅拌;

(3)向步骤(2)制备的溶液中加入全氟癸基三乙氧基硅烷、二甲基硅油、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷,室温下搅拌10-12h,制备得到自清洁溶液。

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