[发明专利]原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法

权利要求书

1.原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于它按以下步骤实现：

一、按照摩尔比1:(1～4):2称取h-BN粉、无定形石墨和立方硅粉；再按照SiBCN-xwt％Ti，x＝0.1～30对Ti粉进行称取；

二、将上述称取的h-BN粉、无定形石墨、立方硅粉和Ti粉在高能球磨机中球磨20～30h，获得的SiBCN-xwt％Ti复合粉体；

三、将上述SiBCN-xwt％Ti复合粉体置于热压烧结炉，在氮气保护气下进行反应烧结，烧结温度为1800～2000℃，烧结压力为40～80MPa，保温时间为30～60min，然后以20K/min的速率降温至1200℃，再随炉冷却，即完成原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备。

2.根据权利要求1所述的原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤一中按照摩尔比1:3:2称取h-BN粉、无定形石墨和立方硅粉。

3.根据权利要求1所述的原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤二中所述球磨采用粒径为1.85cm的氮化硅磨球，球料比为20:1，主盘转速为350r/min，行星盘转速为700r/min，球磨机每工作50min休息10min。

4.根据权利要求1所述的原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤三中当烧结温度1200℃时，升温速度为25K/min；当烧结温度1200℃时，升温速度为20K/min。

5.原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于它按以下步骤实现：

一、按照摩尔比2:1称取硬质的TiN和TiB₂，然后在高能球磨机中球磨30h，得到混合粉；

二、按照摩尔比2:1:3称取立方硅粉、h-BN粉、无定形石墨，获得A物质，再按质量比加入步骤一中所得混合粉，然后在高能球磨机中球磨20h，得到非晶/纳米晶复合粉体；所述混合粉与A物质的质量比为(70～95):(5～30)；

三、将上述非晶/纳米晶复合粉体置于热压烧结炉，在氮气保护气下进行反应烧结，烧结温度为1900℃，烧结压力为60～80MPa，保温时间为30～60min，然后以20K/min的速率降温至1200℃，再随炉冷却，即完成原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备。

6.根据权利要求5所述的原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤二中混合粉与A物质的质量比为80:20。

7.根据权利要求5所述的原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，其特征在于步骤三中当烧结温度1200℃时，升温速度为25K/min；当烧结温度1200℃时，升温速度为20K/min。