[发明专利]晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法

权利要求书

1.一种晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法，其特征在于，根据传感器所测量温度T₂，介电常数β₁，测量晶圆薄膜厚度Y＝β₀+β₁x₁+α₂T₂+ε (1)

式中β₀，β₁，α₂为常数，x₁为介电常数，T₂为温度常数，ε为误差补偿值；

由求期望公式可得，

EY＝β₀+β₁x₁+α₂T₂ (2)

记

对变量x₁，T₂，Y做n次观察得n组观察值：

(x_i1，T_i2，y_i)i＝1，2，……n

若把相应于(x_i1，T_i2)i＝1，2，……n的Y的观察之看做随机变量，则可得

(x_i1，T_i2，Y_i)i＝1，2，……n

进而可得

可将(3)式写成Y＝[X T]β+ε (4)

该方程组所得到β₀，β₁，α₂的值与真实值之间存在误差，为估计值；

因此，需要将上式处理，改写为

将该方程表示为矩阵形式，记A，B为如下矩阵，β的估计值为

A＝x^τx B＝x^τy

可以得到：

求得再用以下计算方式来对所得晶圆薄膜厚度的数据曲线，进行曲线矫正来提高曲线精度提高；

K₁＝h f(x_i，y_i)

K₂＝h f(x_i+h，y_i+K₁)。

2.根据权利要求1所述的晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法，其特征在于，温度补偿测试结果通过进行实验获得实验数据，并将值带入式(1)。

3.根据权利要求1所述的晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法，其特征在于，所述x₁的值为已知常数。

4.根据权利要求1所述的晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法，其特征在于，所述T₂的值为已知常数。

5.根据权利要求1所述的晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法，其特征在于，所述矩阵A的值可计算所得。

6.根据权利要求1所述的晶圆测量中薄膜厚度测量气流传感器温度补仓校正算法，其特征在于，所述矩阵B的值可计算所得。