[发明专利]同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极及调控方法

权利要求书

1.一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极，包括电极本体，其特征在于：所述电极本体包括从上到下依次设置的加热台（50）、导热板（70）和水冷板（60），其中：

所述水冷板（60）的上表面，在中部位置处设置有导热板嵌槽，所述导热板嵌槽的槽底与所述加热台（50）的下表面之间，存在间隙h；

所述导热板（70）嵌装在所述导热板嵌槽中，且所述导热板（70）的厚度为h1，h1h；

所述加热台（50）的外侧区域与所述水冷板（60）的外侧区域之间通过法兰配合连接的方式连接成一体。

2.根据权利要求1所述的一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极，其特征在于：所述电极本体，沿着中心位置贯穿设置有中心孔（601），并在所述中心孔（601）的外围，分别设置有第一通孔（606）、第二通孔（607）、第三通孔（608）；

所述第一通孔（606）、所述第二通孔（607）、所述第三通孔（608），均依次贯穿水冷板（60）、导热板（70）设置，并与所述加热台（50）的下部结构相应位置处所设置的盲孔连通。

3.根据权利要求2所述的一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极，其特征在于：所述加热台（50）包括能够连接成一体的上层板（501）和下层板（502）；所述上层板（501）盖设在所述下层板（502）上方，所述下层板（502）内部安装有加热丝；所述下层板（502）为前述的加热台（50）的下部结构；所述盲孔开设在所述下层板（502）底部。

4.根据权利要求3所述的一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极，其特征在于：还包括安装在所述下层板（502）上的所述盲孔的圆筒轴组件，所述圆筒轴组件包括第一圆筒轴（505）、第二圆筒轴（506）以及第三圆筒轴（507），其中：

所述第一圆筒轴（505）穿过所述第一通孔（606）与所述下层板（502）上的一个所述盲孔对接，且所述第一圆筒轴（505）内部安装测温光纤；

所述第二圆筒轴（506）穿过所述第二通孔（607）与所述下层板（502）上的一个所述盲孔对接，且所述第二圆筒轴（506）内部开设供氦气通过的氦气孔（516）；

所述第三圆筒轴（507）穿过所述第三通孔（608）与所述下层板（502）上的一个所述盲孔对接，且所述第三圆筒轴（507）内部供加热丝出线。

5.一种能够同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的调控方法，其特征在于：所述调控方法利用权利要求4所述的刻蚀工艺的电极进行调控，所述调控方法包括两种工况下的调控，其一是高温工况下，其二是低温工况下，其中：

高温工况下，所述调控方法具体调控步骤如下：

步骤S1、对所述第一圆筒轴（505）、所述第二圆筒轴（506）以及所述第三圆筒轴（507）外部均进行密封；

步骤S2、设定所述加热台（50）所需达到的温度和输入所述电极本体内的冷却液温度；

步骤S3、向所述第二圆筒轴（506）内的所述氦气孔（516）通入氦气，达到氦气与所述上层板（501）上的晶圆底部进行充分接触，同时所述第三圆筒轴（507）内的加热丝加热，所述加热台（50）开始升温；

步骤S4、向所述电极本体内通入冷却液对所述水冷板（60）进行冷却，所述水冷板（60）的温度通过所述导热板（70）传递给所述加热台（50）；

步骤S5、所述第一圆筒轴（505）内的测温光纤实时反馈所述加热台（50）温度至电脑；

步骤S6、根据步骤S5反馈的温度，进行以下判定：

当所述加热台（50）温度达到预期温度，开始高温刻蚀工艺，所述加热丝停止加热，且停止通入冷却液；

当所述加热台（50）温度未达到预期温度，具有两种调节方式，其一通过加热丝继续升温，其二，通过升高冷却液温度，从而使得所述加热台（50）温度达到预期温度；

然后重复步骤S5和步骤S6。