[发明专利]一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块封装结构

权利要求书

1.一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：由SiIGBT和SiC MOSFET构成的混合全桥结构，一个桥臂由Si IGBT和碳化硅肖特基二极管构成，一个桥臂由SiC MOSFET构成。

2.按照权利要求1所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：IGBT半桥桥臂中点的AC1功率端子(11)和SiC MOSFET半桥桥臂中点的AC2功率端子(12)不连接或者通过模块外部电路连接在一起。

3.按照权利要求2所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：AC1功率端子(11)和AC2功率端子(12)通过模块外部电路连接在一起，混合功率模块为混合器件构成的半桥结构，上桥和下桥均为Si IGBT、SiC MOSFET、肖特基二极管并联的器件组合。

4.按照权利要求2所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：AC1功率端子(11)和AC2功率端子(12)不连接在一起，混合模块为全桥结构，由Si IGBT和碳化硅肖特基二极管组成的半桥和SiC MOSFET组成的半桥并联组成。

5.按照权利要求2所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：混合功率模块底部设置有金属散热基板，所述金属散热基板上电气连接有DBC衬底。

6.按照权利要求5所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：所述DBC衬底有四个，第一DBC衬底(41)与第二DBC衬底(42)通过AC1功率端子端子(11)和键合线电气连接，第三DBC衬底(43)与第四DBC衬底通过AC2功率端子(12)电气连接，第一DBC衬底(41)与第三DBC衬底通过铜桥(211)电气连接，第二DBC衬底(42)与第四DBC衬底(44)通过铜桥(212)电气连接。

7.按照权利要求5所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：所述第一DBC衬底(41)上放置IGBT芯片(201)与碳化硅肖特基二极管(203、204、205)，第二DBC衬底(42)上放置IGBT芯片(202)与碳化硅肖特基二极管(206、207、208)，第三DBC衬底(43)上放置SiC MOSFET芯片(209)，第四DBC衬底上放置SiC MOSFET芯片(210)。

8.按照权利要求7所述的一种由Si IGBT和SiC MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，其特征在于：每个芯片设置有开尔文连接，所述IGBT芯片(201)左侧两块DBC上层铜层区域分别为G1敷铜区(301)和K1敷铜区(302)；IGBT芯片(202)左侧两块DBC上层铜层区域分别为G2敷铜区(310)和K2敷铜区(311)；SiC MOSFET芯片(209)右侧两块DBC上层铜层区域分别为G3敷铜区(307)和K3敷铜区(308)，SiC MOSFET芯片(210)右上两块DBC上层铜层区域分别为K4敷铜区(315)和G4敷铜区(316)，这些驱动铜层通过套管线与驱动端子连接。