[发明专利]三基色发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种三基色发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

生长第一外延层，并在所述第一外延层的两侧面制作第一电极和第二电极；

将所述第一外延层上具有所述第一电极的侧面键合到一透明基板上；

生长第二外延层，并在所述第二外延层的两侧面制作第三电极和第四电极；

将所述第二外延层上具有所述第三电极的侧面键合到所述第一外延层上具有所述第二电极的侧面上，形成第一键合层；

采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层和所述第二外延层；

生长第三外延层，并在所述第三外延层的两侧面制作第五电极和第六电极；

将所述第三外延层上具有所述第五电极的侧面键合到所述第二外延层上具有所述第四电极的侧面上，形成第二键合层；

采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层、所述第二外延层、所述第二键合层和所述第三外延层；

在所述第三外延层的表面刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽至少延伸至所述第二电极，以露出所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极，所述第二凹槽至少延伸至所述第一电极，以露出所述第一电极，所述第三凹槽至少延伸至所述第四电极，以露出所述第四电极；

在所述第三外延层上制备第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块，所述第一焊点块通过所述第一凹槽分别与所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极连接，所述第二焊点块通过所述第二凹槽与所述第一电极连接，所述第三焊点块通过所述第三凹槽与所述第四电极连接，所述第四焊点块与所述第六电极连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层和所述第二外延层包括：

在所述第二外延层所在侧对第一区域和第二区域进行激光照射，所述第一区域在所述透明基板上的正投影与所述第一凹槽在所述透明基板上的正投影重合，所述第二区域在所述透明基板上的正投影与所述第二凹槽在所述透明基板上的正投影重合。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层、所述第二外延层、所述第二键合层和所述第三外延层包括：

在所述第三外延层所在侧对所述第一区域、所述第二区域和第三区域进行激光照射，所述第三区域在所述透明基板上的正投影与所述第三凹槽在所述透明基板上的正投影重合。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述第一键合层或所述第二键合层的过程中，通入的氯气和氩气中，氩气的占比逐渐增大。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，从刻蚀开始至刻蚀结束包括第一阶段、第二阶段和第三阶段；

所述第一阶段中，所述氯气的占比为100％，所述氩气的占比为0％；

所述第二阶段中，所述氯气的占比为50％，所述氩气的占比为50％；

所述第三阶段中，所述氯气的占比为0％，所述氩气的占比为100％。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的刻蚀时长大于所述第二阶段的刻蚀时长，且大于所述第三阶段的刻蚀时长，所述第三阶段的刻蚀时长不小于所述第二阶段的刻蚀时长。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的刻蚀时长占总刻蚀时长的50％至70％，所述第二阶段的刻蚀时长占总刻蚀时长的10％至20％，所述第三阶段的刻蚀时长占总刻蚀时长的20％至30％。

8.根据权利要求1至7任一项所述的制备方法，其特征在于，激光照射的激光波长为530纳米至570纳米，照射功率为4W/cm²至6W/cm²。