[发明专利]三基色发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，包括：生长第一外延层；将第一外延层键合到一透明基板上；生长第二外延层；将第二外延层上键合到第一外延层上，形成第一键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层和第二外延层；生长第三外延层；将第三外延层键合到第二外延层上，形成第二键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层、第二外延层、第二键合层和第三外延层；在第三外延层的表面刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽；在第三外延层上制备第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块。本公开能提高键合层的刻蚀速度，提升三基色发光二极管芯片的制备效率。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种三基色发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

三基色发光二极管是通过三基色原理使发光二极管发出不同颜色的光的电子元件。三基色发光二极管具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。

相关技术中，三基色发光二极管通常包括外延结构、第一焊点块和第二焊点块，外延结构包括三个层叠在一起的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层，相邻的两个外延层之间通过键合层连接。其中，第一焊点块和第二焊点块均设置外延结构的同侧或异侧，外延结构上的表面还刻蚀有露出各个外延层的金属电极的凹槽，第一焊点块和第二焊点块通过凹槽与各金属电极连接。

由于通常采用化学刻蚀的方式对各个外延层进行刻蚀，但该种刻蚀方式对键合层中的键合胶的刻蚀效果较差，从而导致刻蚀速度降低，以影响芯片的制备效率。

发明内容

本公开实施例提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，能提高键合层的刻蚀速度，提升三基色发光二极管芯片的制备效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种三基色发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：生长第一外延层，并在所述第一外延层的两侧面制作第一电极和第二电极；将所述第一外延层上具有所述第一电极的侧面键合到一透明基板上；生长第二外延层，并在所述第二外延层的两侧面制作第三电极和第四电极；将所述第二外延层上具有所述第三电极的侧面键合到所述第一外延层上具有所述第二电极的侧面上，形成第一键合层；采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层和所述第二外延层；生长第三外延层，并在所述第三外延层的两侧面制作第五电极和第六电极；将所述第三外延层上具有所述第五电极的侧面键合到所述第二外延层上具有所述第四电极的侧面上，形成第二键合层；采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层、所述第二外延层、所述第二键合层和所述第三外延层；在所述第三外延层的表面刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽至少延伸至所述第二电极，以露出所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极，所述第二凹槽至少延伸至所述第一电极，以露出所述第一电极，所述第三凹槽至少延伸至所述第四电极，以露出所述第四电极；在所述第三外延层上制备第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块，所述第一焊点块通过所述第一凹槽分别与所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极连接，所述第二焊点块通过所述第二凹槽与所述第一电极连接，所述第三焊点块通过所述第三凹槽与所述第四电极连接，所述第四焊点块与所述第六电极连接。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层和所述第二外延层包括：在所述第二外延层所在侧对第一区域和第二区域进行激光照射，所述第一区域在所述透明基板上的正投影与所述第一凹槽在所述透明基板上的正投影重合，所述第二区域在所述透明基板上的正投影与所述第二凹槽在所述透明基板上的正投影重合。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述采用激光照射所述第一外延层、所述第一键合层、所述第二外延层、所述第二键合层和所述第三外延层包括：在所述第三外延层所在侧对所述第一区域、所述第二区域和第三区域进行激光照射，所述第三区域在所述透明基板上的正投影与所述第三凹槽在所述透明基板上的正投影重合。

在本公开实施例的另一种实现方式中，在刻蚀所述第一键合层或所述第二键合层的过程中，通入的氯气和氩气中，氩气的占比逐渐增大。