[发明专利]应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法有效
| 申请号： | 202111601688.5 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114277433B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 芮阳;王忠保 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 杨畅 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 汉虹单晶炉 退火 产品 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在单晶炉内设置内热屏、水冷套，所述内热屏位于硅溶液的上方，所述内热屏的下端内壁与单晶炉中轴线形成的角度为22.5°-30°，所述水冷套位于所述内热屏的上方，所述水冷套与所述单晶炉的内壁连接，所述水冷套距硅溶液液面的高度为100mm-300mm；
S2：在单晶炉内通入氩气，将单晶棒从硅溶液中拉出的拉速为1mm/min-1.5mm/min；
在步骤S2之后还包括步骤S3，步骤S3具体为：将晶棒切割成硅片，在保护气的气氛下，在预定的温度下进行退火，保持预定的时间；
步骤S3中，所述预定的温度为1000℃-1200℃，所述保持预定的时间为1h-4h。
2.根据权利要求1所述的应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，其特征在于，步骤S1中，所述水冷套为圆筒状，所述水冷套的上端与单晶炉的内壁连接。
3.根据权利要求1所述的应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，其特征在于，步骤S3中，所述保护气为氩气。
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