[发明专利]MEMS内置芯片封装载板及其制作工艺

权利要求书

1.一种MEMS内置芯片封装载板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：准备三张芯板，分别为第一芯板(10)、第二芯板(20)和第三芯板(30)，其中，所述第一芯板(10)包括第一绝缘层(11)以及分别设置于该电容层正、反两面的第一铜箔层(12)和第二铜箔层(13)，所述第二芯板(20)包括第二绝缘层(21)以及分别设置于该第二绝缘层正、反两面的第三铜箔层(22)和第四铜箔层(23)，所述第三芯板(30)包括第三绝缘层(31)以及分别设置于该第三绝缘层正、反两面的第五铜箔层(32)和第六铜箔层(33)；

步骤2：第一芯板(10)的钻孔及填孔：利用钻孔机在第一芯板(10)上钻出用于层间连通的贯通孔，并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使贯通孔内壁形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔；

步骤3：第一芯板(10)的内层线路：分别对第一芯板的第一铜箔层(12)和第二铜箔层(13)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有内层线路的第一芯板(10)；

步骤4：SMT贴片：通过锡膏印刷、芯片贴装、回流焊接和AOI光学检测，将芯片(40)装于第一芯板的第一铜箔层上；

步骤5：第二芯板(20)的蚀刻和压膜：将第二芯板上的第三铜箔层(22)和第四铜箔层(23)蚀刻掉，并在第二绝缘层(21)的两面贴合纯胶片层(24)，得到胶片板(25)；

步骤6：胶片板的开槽：在胶片板上进行UV镭射开槽，而在胶片板上形成背腔(51)；

步骤7：第三芯板(30)的的钻孔及填孔：利用钻孔机在第三芯板(30)上钻出用于层间连通的贯通孔，并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使贯通孔内壁形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔；

步骤8：第三芯板(30)的内层线路：分别对第三芯板的第五铜箔层(32)和第六铜箔层(33)进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理，得到具有内层线路的第三芯板(30)；

步骤9：压合：将第一芯板(10)、胶片板(25)和第三芯板(30)依次叠合并利用压机压合成半成品板，所述胶片板(25)的两侧分别贴合第六铜箔层(33)与第一铜箔层(12)；

步骤10：开盖：对半成品板进行钻孔镀铜、外层线路、防焊、表面处理后，在第三芯板(30上)进行镭射开盖处理形成声孔(52)，而得到成品封装载板(50)，所述声孔(52)与背腔(51)相互连通。

2.根据权利要求1所述的MEMS内置芯片封装载板的制作工艺，其特征在于：在步骤2中钻孔的具体工艺参数为：进刀速为1.2±0.1m/min、退刀速为15±1m/min、转速为160±10krpm/min、深度补偿0.3-0.4mm；填孔的具体工艺参数为：除胶速率为0.1-0.4mg/cm²、微蚀速率为20-60μm/min、沉积速率为17-32μm/min。

3.根据权利要求1所述的MEMS内置芯片封装载板的制作工艺，其特征在于：上述步骤3和步骤8中内层线路具体包括以下步骤：

(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；

(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上；

(3)曝光：使用LDI曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；

(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；

(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；

(6)退膜：通过退膜机将NaOH或KOH药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；

(7)AOI：AOI系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验。

4.根据权利要求3所述的MEMS内置芯片封装载板的制作工艺，其特征在于：所述压干膜的具体工艺参数为：温度为110±2℃、线速为1.8±0.2m/min、压力为6±0.2kg/cm²；所述曝光时的能量格为6±1；所述显影时的具体工艺参数为：线速为3.0±0.1m/min、压力为1.3±0.3kg/cm²、温度为30±2℃。