[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层；形成所述离子阻挡层之后，对所述像素区中的衬底进行掺杂处理；进行所述掺杂处理之后，去除所述离子阻挡层。所述离子阻挡层能够对所述栅极结构起到保护作用，在后续对所述第一离子掺杂层进行掺杂处理的过程中，降低了掺杂处理所采用的离子注入到栅极结构的概率，提高了所述栅极结构的电学性能，从而提高了所述半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体技术领域中，图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷耦合元件(CCD)和互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。

相比之下，CMOS图像传感器由于具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点而逐渐取代CCD的地位。目前CMOS图像传感器被广泛应用于数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等领域之中。

CMOS图像传感器是通过对光电效应产生的光电子，进行有效的读取，从而产生对应的图像信息，其像素区域的性能和其各个像素区域的隔离性能具有非常强的相关性

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，有利于进一步提高半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层；形成所述离子阻挡层之后，对所述像素区中的衬底进行掺杂处理；进行所述掺杂处理之后，去除所述离子阻挡层。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；第一离子掺杂层，位于所述像素区的所述衬底中；第二离子掺杂层，位于所述第一离子掺杂层中，所述第二离子掺杂层的掺杂深度小于所述第一离子掺杂层的掺杂深度，且所述第二离子掺杂层比所述第一离子掺杂层更远离所述逻辑电路区和像素区的交界处。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，在逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层，由于所述离子阻挡层能够覆盖所述栅极结构的顶部，所述离子阻挡层能够对所述栅极结构起到保护作用，在后续对所述第一离子掺杂层进行掺杂处理的过程中，降低了掺杂处理所采用的离子注入到栅极结构的概率，提高了所述栅极结构的电学性能，从而提高了所述半导体结构的性能。

附图说明

图1至图2是一种半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图；

图3至图9是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图10是本发明半导体结构的结构示意图。

具体实施方式

目前半导体结构的性能有待提高。现结合一种半导体结构的形成方法分析其性能有待提高的原因。

图1至图2是一种半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图。