[发明专利]一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路、方法及电子设备

权利要求书

1.一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路，其特征在于，所述电路包括：

检测电容差分子电路，与所述检测电容差分子电路通过位线连接的差分电流镜子电路，以及与所述差分电流镜子电路电连接的操作电压生成模块；

所述检测电容差分子电路，被配置为在接收到写入数值时，控制所述位线归零，在所述位线上形成第一电压差，将所述第一电压差值作为所述差分电流镜子电路的输入电压差值；

所述差分电流镜子电路，被配置为基于所述输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值；

所述操作电压生成模块，被配置为基于至少三个不同的所述输出电压差值确定电容操作电压，基于所述电容操作电压完成对目标铁电电容的控制使用。

2.根据权利要求1所述的自适应工艺波动的铁电电容写入电路，其特征在于，所述电路还包括，整形子电路和锁存单元，所述整形子电路的输入端和所述差分电流镜子电路的输出端电连接，所述整形子电路的输出端和所述锁存单元的输入端电连接，所述锁存单元的输出端和所述操作电压生成模块的输入端电连接；

所述整形子电路，被配置为对所述输出电压差值进行整形处理；

所述锁存单元，被配置为对整形处理后的所述输出电压差值进行缓存。

3.根据权利要求1所述的自适应工艺波动的铁电电容写入电路，其特征在于，所述检测电容差分子电路包括：第一铁电电容、第一N型晶体管、第二铁电电容和第二N型晶体管，其中，所述第一N型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极通过字线连接，所述第一N型晶体管的漏极通过所述位线和所述差分电流镜子电路连接，所述第一N型晶体管的源极和所述第一铁电电容的一端连接，所述第一铁电电容的另一端与所述第二铁电电容的一端通过板线连接，所述第二N型晶体管的漏极通过所述位线和所述差分电流镜子电路连接，所述第二N型晶体管的源极和所述第二铁电电容的另一端连接。

4.根据权利要求3所述的自适应工艺波动的铁电电容写入电路，其特征在于，所述差分电流镜子电路包括：四组差分电流镜单元，每组所述差分电流镜单元包括一个P型晶体管和一个N型晶体管，其中，每组的所述P型晶体管的源极均接电源，所述P型晶体管的栅极共连，所述P型晶体管的漏极与对应的N型晶体管的漏极连接，所述N型晶体管的栅极通过位线与所述第一N型晶体管或所述第二N型晶体管的漏极连接，所述N型晶体管的源极均接电源。

5.根据权利要求4所述的自适应工艺波动的铁电电容写入电路，其特征在于，所述操作电压生成模块，被配置为基于至少三个不同的所述输出电压差值确定电容操作电压，基于所述电容操作电压完成对目标铁电电容的控制使用，包括：

所述操作电压生成模块，被配置为当所述输出电压差值均为0的情况下，确定预设最大操作电压为所述电容操作电压，基于所述电容操作电压完成对目标铁电电容的控制使用；

所述操作电压生成模块，被配置为当所述输出电压差值均为1的情况下，确定预设最小操作电压为所述电容操作电压，基于所述电容操作电压完成对目标铁电电容的控制使用。

6.一种自适应工艺波动的铁电电容写入方法，其特征在于，应用于权利要求1至5任一所述的自适应工艺波动的铁电电容写入电路，所述方法包括：

所述检测电容差分子电路在接收到写入数值时，控制所述位线归零，在所述位线上形成第一电压差，将所述第一电压差值作为所述差分电流镜子电路的输入电压差值；

所述差分电流镜子电路基于所述输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值；

所述操作电压生成模块基于至少三个不同的所述输出电压差值确定电容操作电压，基于所述电容操作电压完成对目标铁电电容的控制使用。

7.根据权利要求6所述的自适应工艺波动的铁电电容写入方法，其特征在于，所述电路还包括，整形子电路和锁存单元；在所述所述差分电流镜子电路基于所述输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值之后，所述方法还包括：

所述整形子电路对所述输出电压差值进行整形处理；

所述锁存单元对整形处理后的所述输出电压差值进行缓存。