[发明专利]像素电路、显示面板以及显示设备在审
申请号: | 202111621692.8 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN114399971A | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 吴小玲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/30 | 分类号: | G09G3/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 莫胜钧 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示 面板 以及 设备 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括驱动单元、数据写入单元、参考单元、储能单元以及复位单元;
所述驱动单元的第一端分别连接所述数据写入单元的第一端、所述参考单元的第一端和所述储能单元的第一端,第二端连接工作电压源,第三端连接发光器件;
所述数据写入单元的第二端连接数据信号线,第三端连接当前行水平扫描线;所述参考单元的第二端连接参考电压信号线,第三端连接控制信号线;
所述复位单元的第一端连接所述储能单元的第二端,第二端连接初始电压信号线,第三端连接上一行水平扫描线。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述驱动单元包括第一薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管的栅极分别连接所述数据写入单元的第一端、所述参考单元的第一端和所述储能单元的第一端,漏极连接所述工作电压源,源极连接所述发光器件。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的源极连接所述第一薄膜晶体管的栅极,源极连接所述数据信号线,栅极连接所述当前行水平扫描线。
4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述参考单元包括第三薄膜晶体管;
所述第三薄膜晶体管的源极连接所述第一薄膜晶体管的栅极,漏极连接所述参考电压信号线,栅极连接所述控制信号。
5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述储能单元包括电容;
所述电容的第一端分别连接所述第一薄膜晶体管的栅极,第二端连接所述复位单元。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述复位单元包括第四薄膜晶体管;
所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述电容的第二端,源极连接所述初始电压信号线,栅极连接所述上一行水平扫描线。
7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
8.根据权利要求6或7所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路的工作方式包括复位阶段、探测阶段、维持阶段、过渡阶段、数据写入阶段以及发光阶段;
在所述复位阶段中,所述上一行水平扫描线输入高电平,所述第四薄膜晶体管导通,所述第一薄膜晶体管的源极电压复位至初始电压,所述第一薄膜晶体管的栅极电压被拉低,所述控制信号线输入高电平,所述第三薄膜晶体管导通,所述第一薄膜晶体管的栅极电压等于参考电压;
在所述探测阶段中,所述上一行水平扫描线输入低电平,所述第四薄膜晶体管关闭,所述第一薄膜晶体管的栅极电压等于参考电压,所述第一薄膜晶体管的源极电压等于所述参考电压与其导通电压的第一差值;
在所述维持阶段中,所述上一行水平扫描线输入低电平,所述当前行水平扫描线输入低电平,所述控制信号线输入底电平,并维持预设时间;
在所述过渡阶段中,所述当前行水平扫描线输入高电平;
在所述数据写入阶段中,所述当前行水平扫描线输入高电平,所述数据信号线将数据信号写入所述第一薄膜晶体管;所述电容存储的电压为所述数据信号与所述第一差值的第二差值;
在所述发光阶段中,所述电容维持所述第一薄膜晶体管的栅极与源极电压不变,所述发光器件发光。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任意一项所述的像素电路。
10.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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