[发明专利]外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 202111643318.8 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114497293A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 常娟雄;黄永;汪琼;陈财;刘晓磊;邵语嫣;程晨言;王宇轩;李梹激;许琦辉;王霄;杨旭豪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/335;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 | 代理人： | 于秀 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 制备 剥离 方法 半导体器件 | ||
1.一种外延层的制备剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，并在所述衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；所述牺牲层包括所述第一生长工艺下生长的孔洞部和所述第二生长工艺下生长的平整部；
在所述平整部上生长外延层；
使用刻蚀液刻蚀所述牺牲层，将所述外延层从所述衬底上剥离；所述刻蚀液可进入所述孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述第一生长工艺和所述第二生长工艺均为在化学气相沉积反应室中进行，所述第一生长工艺中的温度低于所述第二生长工艺中的温度，所述第一生长工艺中的压力高于所述第二生长工艺中的压力。
3.根据权利要求2所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述外延层的生长为在化学气相沉积反应室中进行。
4.根据权利要求2所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述外延层为GaN层，所述牺牲层为N型掺杂GaN层。
5.根据权利要求4所述的外延层的制备剥离方法，其特征在于，所述第一生长工艺中的温度为500～900℃，压力为200-600torr；所述第二生长工艺中的温度为900-1200℃，压力为40～200torr。
6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，并在所述衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；所述牺牲层包括所述第一生长工艺下生长的孔洞部和所述第二生长工艺下生长的平整部；
在所述平整部上生长外延层；
在所述外延层上生长半导体器件功能层；
使用刻蚀液刻蚀所述牺牲层，将所述外延层从所述衬底上剥离；所述刻蚀液可进入所述孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一生长工艺和所述第二生长工艺均为在化学气相沉积反应室中进行，所述第一生长工艺中的温度低于所述第二生长工艺中的温度，所述第一生长工艺中的压力高于所述第二生长工艺中的压力。
8.根据权利要求6或7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
将所述外延层以及其上的所述半导体器件功能层设置于目标基板上。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件层包括第一半导体层、第二半导体层、栅极、源极和漏极；所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有异质结。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件层包括发光层和电极层。
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