[发明专利]放射线检测器及其使用方法和放射线检查装置

权利要求书

1.一种放射线检测器，其特征在于，包括：

第一活性材料层和第二活性材料层，所述第一活性材料层吸收入射的放射线中第一能量段的部分，经过所述第一活性材料层后的放射线入射所述第二活性材料层，所述第二活性材料层吸收入射的放射线中第二能量段的部分；所述第二能量段为所述放射线中高于所述第一能量段的部分，所述第一活性材料层对所述第二能量段的放射线的吸收系数小于所述第二活性材料层对所述第二能量段的放射线的吸收系数；

第一收集电极和第二收集电极，所述第一收集电极设置于所述第一活性材料层的远离所述第二活性材料层的表面，所述第二收集电极设置于所述第二活性材料层的远离所述第一活性材料层的表面；所述第一收集电极用以在被施加反向偏压时收集所述第一活性材料层中的载流子，所述第二收集电极用以在被施加反向偏压时收集所述第二活性材料层中的载流子。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，所述第二活性材料层的厚度大于所述第一活性材料层的厚度。

3.根据权利要求2所述的放射线检测器，其特征在于，所述第二活性材料层的厚度是所述第一活性材料层的厚度的三倍或者三倍以上。

4.根据权利要求1-3任一项所述的放射线检测器，其特征在于，所述第一活性材料层为Ⅲ-Ⅴ族半导体活性材料层，所述第二活性材料层为钙钛矿活性材料层。

5.根据权利要求4所述的放射线检测器，其特征在于，所述第一活性材料层为Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶活性材料层，所述第二活性材料层为钙钛矿单晶活性材料层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的放射线检测器，其特征在于，还包括：

第一盖板和第二盖板，所述第一盖板设置于所述第一收集电极的远离所述第一活性材料层的表面，所述第二盖板设置于所述第二收集电极的远离所述第二活性材料层的表面。

7.一种放射线检测器的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

依次在所述放射线检测器中的第一收集电极上施加第一反向偏压，在第二收集电极上施加第二反向偏压；

获取所述第一反向偏压对应的第一电流以及所述第二反向偏压对应的第二电流；

所述放射线检测器包括第一活性材料层和第二活性材料层，所述第一活性材料层吸收入射的放射线中第一能量段的部分，经过所述第一活性材料层后的放射线入射所述第二活性材料层，所述第二活性材料层吸收入射的放射线中第二能量段的部分；所述第二能量段为所述放射线中高于所述第一能量段的部分，所述第一活性材料层对所述第二能量段的放射线的吸收系数小于所述第二活性材料层对所述第二能量段的放射线的吸收系数；所述第一收集电极设置于所述第一活性材料层的远离所述第二活性材料层的表面，所述第二收集电极设置于所述第二活性材料层的远离所述第一活性材料层的表面；

所述第一反向偏压施加于所述第一收集电极上时，所述第一活性材料层处于其中的光生空穴均被所述第一收集电极所收集的临界状态，所述第二反向偏压施加于所述第二收集电极上时，所述第二活性材料层处于其中的光生空穴均被所述第二收集电极所收集的临界状态。

8.根据权利要求7所述的放射线检测器的使用方法，其特征在于，所述第一反向偏压为根据所述第一活性材料层的空穴迁移率、空穴寿命以及所述第一活性材料层的厚度计算得到；所述第二反向偏压为根据所述第二活性材料层的空穴迁移率、空穴寿命以及所述第二活性材料层的厚度计算得到。

9.根据权利要求7所述的放射线检测器的使用方法，其特征在于，所述第二活性材料层的厚度大于所述第一活性材料层的厚度。

10.一种放射线检查装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的放射线检测器。