[发明专利]离子束流分布的测定方法

说明书

本发明提供一种离子束流分布的测定方法，包括：将离子束流注入至测量阵列；其中，测量阵列包括呈阵列式排布的多个测量单元；读取每一测量单元中的电流值，并将电流值大于零的所有测量单元定义为测量区域；根据测量区域中每一测量单元的电流值，计算出每一测量单元接收的离子束流的密度；至少根据离子束流的密度，计算出测量区域中的离子束流分布尺寸。可见，本发明是通过构建测量阵列来接收离子束流，并利用读取的电流值和计算出的离子束流的密度，获取离子束流分布的边界尺寸，测量方法简便且精度高。并且，测量阵列细分为多个呈阵列式排布的测量单元，以保证读取的电流值的精确度，从而提高了离子束流分布的尺寸的精准度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种离子束流分布的测定方法。

背景技术

随着半导体技术向大规模集成电路(Large Scale Integration ，LSI)或超大规模集成电路(Very Large Scale Integration Circuit, VLSI)发展，半导体器件尺寸越来越小，对离子注入的要求也越来越高。离子注入主要是以特定的能量、离子质量以及特定的角度注入晶圆中形成PN结的工艺。

在离子注入过程，由于电压跳动（Glitch），导致离子束也随之产生跳动。当发生较为严重的注入跳动时，必须暂停注入，待离子束稳定后，再进行补打。然而，离子注入对剂量要求非常严格，一般要求剂量误差不超多3%，剂量偏大或偏少都会造成晶圆报废的后果。因补打时需要重新调整注入位置，如果补打的位置出现偏离，则可能造成晶圆部分区域多打，部分区域少打。如图1-3所示，图1中的区域Y为离子注入暂停时已经执行离子注入后的区域；图2为补打时，补打的离子束流向上偏离区域Y，导致晶圆10出现少打区域M；图3为补打时，补打的离子束流向下偏离区域Y，导致晶圆10出现少打区域N，则少打或多打会导致晶圆10不同区域的离子注入剂量不一，致使各区域的电阻率不均衡，严重影响离子注入的效果，甚至造成晶圆10的损毁。对此，在补打之前，不仅需要获取离子注入暂停时已注入区域的准确位置，还需要获取离子束流的准确尺寸，以避免出现多打或少打的情况。然而，现有技术中对于离子束流的分布尺寸测量精度有限，致使获取补打位置精度有限，则不能确保注入的均匀性。

因此，需要一种离子束流分布的测定方法，以精确测定离子束流的尺寸。

发明内容

本发明的目的在于提供一种离子束流分布的测定方法，以解决如何精确测定离子束流的分布尺寸的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种离子束流分布的测定方法，包括：

将离子束流注入至测量阵列；其中，所述测量阵列包括呈阵列式排布的多个测量单元；

读取每一所述测量单元中的电流值，并将所述电流值大于零的所有所述测量单元定义为测量区域；

根据所述测量区域中每一所述测量单元的所述电流值，计算出每一所述测量单元接收的所述离子束流的密度；

至少根据所述离子束流的密度，计算出所述测量区域中的离子束流分布尺寸。

可选的，在所述的离子束流分布的测定方法中，位于所述测量区域中最外一圈的多个所述测量单元为外圈部，剩余的多个所述测量单元为内圈部；其中，所述外圈部的所述测量单元中部分区域接收到所述离子束流，部分区域未接收到所述离子束流。

可选的，在所述的离子束流分布的测定方法中，所述根据所述测量区域中每一所述测量单元的所述电流值，计算出每一所述测量单元接收的所述离子束流的密度，包括：

所述内圈部中的每一所述测量单元接收的所述离子束流的密度为：

J_（i,j）=I_（i,j）/S_（i,j）;