[发明专利]超硬纯同位素10

权利要求书

1.一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，利用金属Ni做催化剂，采用气-液-固生长的高温熔盐法在真空下将原料¹⁰B、Ni、P的混合物生长为同位素富集的超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，在真空环境中将原料¹⁰B、Ni、P的混合物升温至1100-1300℃，保温0.5-3小时后降温至1000-1200℃，保温70-80h后再冷却到800-900℃，最后淬灭到环境温度，经洗涤、干燥后得到超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线。

3.根据权利要求2所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，所述¹⁰B、Ni、P的摩尔比为1-2:1-2:1-5。

4.根据权利要求2所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，升温至1100-1300℃的时间为750-850min。

5.根据权利要求2所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，降温至1000-1200℃的降温速度为45-55℃/h。

6.根据权利要求2所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，冷却到800-900℃的降温速度为1-3℃/h。

7.根据权利要求2所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，淬灭到环境温度的降温速度为250-350℃/h。

8.根据权利要求2所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法，其特征在于，所述洗涤为先用HCl和HNO₃的混合酸洗涤得到的产物，再用浓NaOH溶液去除SiO₂，最后再用丙酮和乙醇清洗。

9.采用权利要求1-8任一项所述的一种超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线的制备方法制备得到的超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线。

10.权利要求9所述的超硬纯同位素¹⁰BP半导体微纳米线在探测器中的应用。