[发明专利]一种具有多个三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管

权利要求书

1.一种具有多个三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，包括衬底层、全埋氧层、硅膜层和器件顶层，衬底层设置在底部，掺杂类型为P型，掺杂硅材料；衬底层上面为全埋氧层，全埋氧层采用二氧化硅；全埋氧层上面为硅膜层；其特征在于：所述的硅膜层包括源区、硅体、漂移区、漏区和多个三角埋氧层；三角埋氧层采用二氧化硅材料，源区、硅体、漂移区、漏区都为硅材料；源区和硅体位于硅膜层一侧，硅体包围源区，且源区位于硅膜层顶部；漏区位于硅膜层另一侧顶部；漏区、硅体和多个三角埋氧层之间的区域为漂移区；所有三角埋氧层并排排布，所有三角埋氧层为形状完全相同且底边均与全埋氧层顶面贴合的三角形；相邻两个三角埋氧层底边相靠近的两个顶点重合；沟道由源区和漂移区之间的硅体提供；源区和漏区的掺杂类型为N型；硅体掺杂类型为P型；漂移区掺杂类型为N型；所述的器件顶层包括栅氧化层、扩展氧化层、源电极、栅电极和漏电极；所述的栅氧化层位于沟道和漂移区上方，采用二氧化硅；所述的扩展氧化层位于漂移区上方，采用二氧化硅；扩展氧化层和栅氧化层的两个相邻侧面接触；栅氧化层被栅电极全部覆盖，扩展氧化层被栅电极部分覆盖；所述的源电极位于源区上方，漏电极位于漏区上方。

2.根据权利要求1所述一种具有多个三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，其特征在于：所述衬底层的长度为110μm，掺杂浓度为4×10¹⁴cm-3；全埋氧层的长度为110μm，厚度为3μm；硅膜层的厚度为20μm；源区和漏区的长度均为5μm，掺杂浓度均为1×10²⁰cm^-3；硅体的长度为15μm，厚度为8μm，掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3；沟道的长度为5μm；栅氧化层的厚度为30nm；扩展氧化层的厚度为60nm；三角埋氧层的厚度为10μm，长度为22μm，个数为5个；漂移区掺杂浓度为4×10¹⁴cm^-3。

3.根据权利要求2所述一种具有多个三角形埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管，其特征在于：所述源区和漏区的厚度均为1μm，栅氧化层的长度为6μm，扩展氧化层的长度为90μm。