[发明专利]一种激光切割硅晶片的方法在审
| 申请号： | 202111668297.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114083155A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋仕彬 | 申请（专利权）人： | 杭州银湖激光科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富阳区银*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 切割 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种激光切割硅晶片的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1) 提供一波长在2.0±0.2微米的光纤激光器，光纤激光器输出脉冲宽度不大于100纳秒的脉冲激光束；
(2) 将脉冲激光束透过待切割硅晶片聚焦至底面，自下而上移动聚焦点形成一个纵向裂纹；
(3) 移动聚焦点至切割轨迹的下一个位置；
(4) 重复步骤(2)和步骤(3)，直至形成切割包络；
(5) 裂片，完成对硅晶片的切割。
2.根据权利要求1所述的激光切割硅晶片的方法，其特征在于：所述光纤激光器主要由种子激光器和光纤放大器构成，种子激光器输出的激光束采用光纤放大器进行能量放大后输出激光，激光束的每个脉冲的峰值功率大于10千瓦。
3.根据权利要求2所述的激光切割硅晶片的方法，其特征在于：所述种子激光器为调Q光纤激光器。
4.根据权利要求2所述的激光切割硅晶片的方法，其特征在于：所述种子激光器为增益调制的半导体光纤耦合激光器。
5.根据权利要求1所述的激光切割硅晶片的方法，其特征在于：光纤激光器输出脉冲宽度为1ps～300ps。
6.根据权利要求1所述的激光切割硅晶片的方法，其特征在于：光纤激光器输出脉冲宽度为0.5ns～100ns。
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