[发明专利]一种连环纳米锥周期性阵列制备方法有效
| 申请号： | 202111671267.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114315416B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 赵晓宇;安彤舸;温嘉红;张鉴;郭筱洁;王雅新;钟家松;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/70 | 分类号： | C04B41/70;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连环 纳米 周期性 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种连环纳米锥周期性阵列制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(A)在具有亲水性表面的Si衬底上利用自组装法得到高度有序的二氧化硅胶体球阵列；
(B)对二氧化硅小球阵列进行了以O2或CF4为工作气体的等离子刻蚀，刻蚀功率为50～150W，刻蚀时间为8～14min，得到连环纳米锥周期阵列；
(C)利用磁控溅射技术在样品表面沉积一层金属。
2.根据权利要求1所述的一种连环纳米锥周期性阵列制备方法，其特征在于，步骤(A)中，所述二氧化硅胶体球半径为500～2000nm。
3.根据权利要求1所述的一种连环纳米锥周期性阵列制备方法，其特征在于，
步骤(C)中，所述金属层为Ag层、Au层或Cu层。
4.根据权利要求1所述的一种连环纳米锥周期性阵列制备方法，其特征在于，步骤(C)中，所述金属层厚度为30～150nm。
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