[发明专利]单晶硅棒的拉制方法和单晶硅棒的拉制装置

权利要求书

1.一种单晶硅棒的垃制方法，其特征在于，包括：

提供单晶炉，所述单晶炉包括：热场部件和用于放置硅料的坩埚；

开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度；

采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应。

2.根据权利要求1所述的垃制方法，其特征在于，所述开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤，包括：

在垃制停止状态下，采用所述加热机构将所述单晶炉内的温度调节至第一预设温度。

3.根据权利要求2所述的垃制方法，其特征在于，所述采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应的步骤，包括：

采用第一进气机构向所述单晶炉内输入含卤气体，并采用第二进气机构向所述单晶炉内输入惰性气体，控制所述含卤气体和所述惰性气体的流量比为第一预设比例，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应。

4.根据权利要求1所述的垃制方法，其特征在于，所述开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤，包括：

在垃制状态下，采用所述加热机构将所述单晶炉内的温度调节至第二预设温度。

5.根据权利要求4所述的垃制方法，其特征在于，所述采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应的步骤，包括：

采用第一进气机构向所述单晶炉内输入含卤气体，采用第二进气机构向所述单晶炉内输入惰性气体，控制所述含卤气体和所述惰性气体的流量比为第二预设比例，以使所述含卤气体分别与所述热场部件中的金属杂质和熔硅表面的杂质反应。

6.根据权利要求1所述的垃制方法，其特征在于，所述开启所述加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤之前，包括：

密封所述单晶炉，并对所述单晶炉内进行抽真空处理，控制所述单晶炉内的真空度为5-50毫托；

检查所述单晶炉内是否存在漏气现象，若否，则执行所述开启所述加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤。

7.根据权利要求1所述的垃制方法，其特征在于，所述开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤，包括：

采用所述加热机构加热，以将所述单晶炉内的温度调节至所述预设温度；

采用第一进气机构向所述单晶炉内输入所述含卤气体，采用第二进气机构向所述单晶炉内输入所述惰性气体，并控制所述含卤气体和所述惰性气体的流量比为第三预设比例。

8.根据权利要求7所述的垃制方法，其特征在于，所述含卤气体包括：氯气、溴气、氟气、四氯化碳、氯化氢、氟利昂中的至少一种；

所述惰性气体包括：氮气、氩气、氦气中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的垃制方法，其特征在于，所述采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应的步骤，包括：

采用所述进气机构向所述单晶炉内输入所述至少包括含卤气体的反应气体；

在所述预设温度下，保持10-240分钟，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应。

10.根据权利要求9所述的垃制方法，其特征在于，所述采用所述进气机构向所述单晶炉内输入所述至少包括含卤气体的反应气体的步骤，包括：

采用所述进气机构向所述单晶炉内输入所述至少包括含卤气体的反应气体，控制所述含卤气体的气体流量为0.1-3升每分钟，控制所述单晶炉内的炉压保持在5-50托。

11.根据权利要求1所述的垃制方法，其特征在于，所述方法还包括：

收集从所述单晶炉内排出的尾气；

采用尾气处理设备处理所述单晶炉内反应后的尾气。