[发明专利]单晶硅棒的拉制方法和单晶硅棒的拉制装置

说明书

本发明实施例提供了一种单晶硅棒的拉制方法和一种单晶硅棒的拉制装置，单晶硅棒的拉制方法包括：提供单晶炉，所述单晶炉包括：热场部件和用于放置硅料的坩埚；开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度；采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应，可以提高单晶硅棒的品质。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种单晶硅棒的垃制方法和一种单晶硅棒的垃制装置。

背景技术

近年来，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅片通常是由单晶硅棒进行切片处理得到的，而单晶硅棒通常是由硅料在单晶炉内垃制得到。

目前，单晶炉内通常设有多个采用石墨材料或碳碳材料的热场部件，例如：保温件、加热件、导热筒等。在实际应用中，加热件可以为单晶硅棒生长提供热量，保温件可以防止热量散失，导热筒可以进行散热。然而，热场部件的灰分含量较高，灰分中含有铁、锰、镍等金属杂质；而且，石墨或碳碳材料的吸附能力较强，在垃制单晶硅棒的过程中容易吸附单晶炉内的二氧化硅、氧化钙等杂质。

在单晶炉用于垃制单晶硅棒的过程中，热场部件中的杂质以及热场部件吸附的杂质在高温情况下均容易扩散进入熔硅表面，降低单晶硅棒的品质。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种单晶硅棒的垃制方法和一种单晶硅棒的垃制装置。

为了解决上述问题，第一方面，本发明实施例公开了一种单晶硅棒的垃制方法，包括：

提供单晶炉，所述单晶炉包括：热场部件和用于放置硅料的坩埚；

开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度；

采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应。

可选地，所述开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤，包括：

在垃制停止状态下，采用所述加热机构将所述单晶炉内的温度调节至第一预设温度。

可选地，所述采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应的步骤，包括：

采用第一进气机构向所述单晶炉内输入含卤气体，并采用第二进气机构向所述单晶炉内输入惰性气体，控制所述含卤气体和所述惰性气体的流量比为第一预设比例，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应。

可选地，所述开启加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤，包括：

在垃制状态下，采用所述加热机构将所述单晶炉内的温度调节至第二预设温度。

可选地，所述采用进气机构向所述单晶炉内输入至少包括含卤气体的反应气体，以使所述含卤气体与所述热场部件中的金属杂质反应的步骤，包括：

采用第一进气机构向所述单晶炉内输入含卤气体，采用第二进气机构向所述单晶炉内输入惰性气体，控制所述含卤气体和所述惰性气体的流量比为第二预设比例，以使所述含卤气体分别与所述热场部件中的金属杂质和熔硅表面的杂质反应。

可选地，所述开启所述加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤之前，包括：

密封所述单晶炉，并对所述单晶炉内进行抽真空处理，控制所述单晶炉内的真空度为5-50毫托；

检查所述单晶炉内是否存在漏气现象，若否，则执行所述开启所述加热机构，以将所述单晶炉内的温度调节至预设温度的步骤。