[发明专利]一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111682733.4 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114355520A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 孙瑜 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H01S5/02251;H01S5/02253;H01S5/0233;H01S5/0235
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 穆瑞丹
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,包括:

第一基层,所述第一基层中具有容置腔;

位于所述第一基层一侧表面的第一重布线结构;

位于所述容置腔内的电芯片,所述电芯片的正面背向所述第一重布线结构;

位于所述电芯片背向所述第一重布线结构的一侧的光芯片,至少部分所述光芯片位于所述容置腔内;

贯穿所述光芯片的第一导电连接件,所述第一导电连接件的一端与所述电芯片电连接;

位于所述第一基层另一侧的第二重布线结构,所述第二重布线结构与所述第一导电连接件的另一端连接;

贯穿所述容置腔侧部的所述第一基层的第二导电连接件,所述第二导电连接件与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构电连接。

2.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述第一基层包括第一子基层和第二子基层,所述第一子基层中具有第一子容置腔,所述第二子基层中具有第二子容置腔,所述第一子容置腔与所述第二子容置腔贯通;所述电芯片位于所述第一子容置腔中,至少部分所述光芯片位于所述第二子容置腔中;

所述第二导电连接件包括第一子导电连接件与第二子导电连接件,所述第一子导电连接件位于所述第一子基层中,所述第二子导电连接件位于所述第二子基层中;所述第一子导电连接件的一端与所述第二子导电连接件的一端连接,所述第一子导电连接件的另一端与所述第一重布线结构电连接,所述第二子导电连接件的另一端与所述第二重布线结构电连接。

3.根据权利要求2所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述第一子基层为第一芯板;所述第二子基层为第二芯板或介质层。

4.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,所述光芯片倒装在所述电芯片上;所述光芯片的正面一侧具有第一焊盘,所述电芯片的正面具有第二焊盘,所述第一焊盘和部分所述第二焊盘焊接在一起,所述第一导电连接件与部分所述第二焊盘连接。

5.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述光芯片正装在所述电芯片上;所述光芯片的正面一侧具有第一焊盘,所述电芯片的正面具有第二焊盘,所述第一导电连接件与所述第二焊盘连接,所述第二重布线结构还与所述第一焊盘连接。

6.根据权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,还包括:第二基层,所述第二基层位于所述第二重布线结构背离所述第一重布线结构的一侧;所述第二基层中具有贯穿所述第二基层的第一开口;所述光芯片和电芯片的封装结构还包括:透镜,所述透镜位于所述第一开口中的顶部区域;

优选的,所述第一开口远离所述第一重布线结构的宽度大于所述第一开口靠近所述第一重布线结构的宽度。

7.根据权利要求6所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,还包括:激光器,所述激光器位于部分所述第一基层背离所述第一重布线结构的一侧表面且位于所述光芯片的侧部;透光介质层,所述透光介质层位于所述第一基层与所述第二基层之间且覆盖所述光芯片的部分侧壁以及所述激光器;所述第二导电连接件还贯穿所述透光介质层;

所述第二重布线结构位于所述透光介质层背向所述第一基层的一侧表面。

8.权利要求6所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,所述第二基层还具有贯穿所述第二基层的第二开口,所述第二开口位于所述第一开口的侧部,所述第二开口的底部暴露出所述光芯片的光学窗口;位于所述第二开口中的光纤单元;

优选的,所述光纤单元为光纤耦合阵列。

9.权利要求1所述的光芯片和电芯片的封装结构,其特征在于,还包括:焊球,所述焊球位于所述第一重布线结构背离所述第一基层的一侧且与所述第一重布线结构连接;母版;所述焊球设置在所述母版的一侧且与所述母版电连接。

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