[发明专利]一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111682733.4 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114355520A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 孙瑜 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H01S5/02251;H01S5/02253;H01S5/0233;H01S5/0235
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 穆瑞丹
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 及其 制备 方法
【说明书】:

一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法,光芯片和电芯片的封装结构包括:第一基层,第一基层中具有容置腔;位于第一基层一侧表面的第一重布线结构;位于容置腔内的电芯片,电芯片的正面背向第一重布线结构;位于电芯片背向第一重布线结构的一侧的光芯片,至少部分光芯片位于容置腔内;贯穿光芯片的第一导电连接件,第一导电连接件的一端与电芯片电连接;位于第一基层另一侧的第二重布线结构,第二重布线结构与第一导电连接件的另一端连接;贯穿容置腔侧部的第一基层的第二导电连接件,第二导电连接件与第一重布线结构和第二重布线结构电连接。所述光芯片和电芯片的封装结构在输入与输出密度大时仍可扇出。

技术领域

发明涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种光芯片和电芯片的封装结构及其制备方法。

背景技术

随着近年来硅光技术的不断发展成熟,硅光芯片可将调制器、探测器、复用解复用、波导等集成在一颗芯片上,采用硅光芯片的光模块是目前研究的热点,光芯片在激光雷达、探测器等多领域应用,光芯片的电学焊盘密度高、尺寸大,同时光芯片上表面还需要进行光学耦合或光学发射、接收,而现有的光芯片和电芯片的封装结构在输入与输出密度大时无法扇出的问题。

因此,现有技术中的光芯片和电芯片的封装结构有待提高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中光芯片和电芯片的封装结构在输入与输出密度大时无法扇出的问题。

为了解决上述技术问题,本发明提供一种光芯片和电芯片的封装结构包括:第一基层,所述第一基层中具有容置腔;位于所述第一基层一侧表面的第一重布线结构;位于所述容置腔内的电芯片,所述电芯片的正面背向所述第一重布线结构;位于所述电芯片背向所述第一重布线结构的一侧的光芯片,至少部分所述光芯片位于所述容置腔内;贯穿所述光芯片的第一导电连接件,所述第一导电连接件的一端与所述电芯片电连接;位于所述第一基层另一侧的第二重布线结构,所述第二重布线结构与所述第一导电连接件的另一端连接;贯穿所述容置腔侧部的所述第一基层的第二导电连接件,所述第二导电连接件与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构电连接。

可选的,所述第一基层包括第一子基层和第二子基层,第一子基层中具有第一子容置腔,第二子基层中具有第二子容置腔,所述第一子容置腔与所述第二子容置腔贯通;所述电芯片位于所述第一子容置腔中,至少部分所述光芯片位于所述第二子容置腔中;所述第二导电连接件包括第一子导电连接件与第二子导电连接件,所述第一子导电连接件位于所述第一子基层中,所述第二子导电连接件位于所述第二子基层中;所述第一子导电连接件的一端与所述第二子导电连接件的一端连接,所述第一子导电连接件的另一端与所述第一重布线结构电连接,所述第二子导电连接件的另一端与所述第二重布线结构电连接。

可选的,所述第一子基层为第一芯板;所述第二子基层为第二芯板或介质层。

可选的,所述光芯片倒装在所述电芯片上;所述光芯片的正面一侧具有第一焊盘,所述电芯片的正面具有第二焊盘,所述第一焊盘和部分所述第二焊盘焊接在一起,所述第一导电连接件与部分所述第二焊盘连接。

可选的,所述光芯片正装在所述电芯片上;所述光芯片的正面一侧具有第一焊盘,所述电芯片的正面具有第二焊盘,所述第一导电连接件与所述第二焊盘连接,所述第二重布线结构还与所述第一焊盘连接。

可选的,还包括:第二基层,所述第二基层位于所述第二重布线结构背离所述第一重布线结构的一侧;所述第二基层中具有贯穿所述第二基层的第一开口;所述光芯片和电芯片的封装结构还包括:透镜,所述透镜位于第一开口中的顶部区域。

可选的,所述第一开口远离所述第一重布线结构的宽度大于所述第一开口靠近所述第一重布线结构的宽度。

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